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龙图腾网恭喜北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利半导体工艺腔室的冷却装置及半导体工艺腔室获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114171437B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111451406.8，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权半导体工艺腔室的冷却装置及半导体工艺腔室是由任晓滨设计研发完成，并于2021-12-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体工艺腔室的冷却装置及半导体工艺腔室在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体工艺腔室的冷却装置及半导体工艺腔室，冷却装置用于冷却腔体顶壁，固定板与腔体连接，并与腔体顶壁相对设置，形成安装冷却管路的容纳空间，且设有与多个冷却管路的进风口一一对应连接的多个通孔；阻隔组件分腔体顶壁为中间和边缘冷却区域，容纳空间分中间和边缘冷却空间，多个冷却管路间隔排布于边缘冷却空间内；冷却管路的一端与固定板连接，并设有沿腔体顶壁径向方向延伸的主管道，主管道管壁设有朝向腔体顶壁并与腔体顶壁之间具有间距的出风口。本发明提供的半导体工艺腔室的冷却装置及半导体工艺腔室，能够提高半导体工艺腔室的冷却效果，从而减小半导体工艺腔室热源反射受到的影响，提高半导体工艺腔室的使用寿命。

本发明授权半导体工艺腔室的冷却装置及半导体工艺腔室在权利要求书中公布了：1.一种半导体工艺腔室的冷却装置，设置在所述半导体工艺腔室的腔体顶壁上，用于对所述腔体顶壁进行冷却，其特征在于，所述冷却装置包括固定板和多个冷却管路，其中：所述固定板与所述腔体连接，所述固定板与所述腔体顶壁相对设置，配合形成用于安装所述冷却管路的容纳空间；所述冷却装置还包括阻隔组件，所述阻隔组件将所述腔体顶壁分为中间冷却区域和边缘冷却区域，所述容纳空间与所述腔体顶壁对应分为中间冷却空间和边缘冷却空间，多个所述冷却管路间隔排布于所述边缘冷却空间内，用于向所述腔体顶壁吹送冷却气体；所述冷却管路的一端与所述固定板连接，所述固定板上开设有多个通孔，多个所述冷却管路的进风口与多个所述通孔一一对应连接；所述冷却管路设置有沿所述腔体顶壁径向方向延伸的主管道，所述主管道的管壁开设有朝向所述腔体顶壁的出风口，所述出风口与所述腔体顶壁之间具有间距。

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