恭喜长春理工大学方铉获国家专利权
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龙图腾网恭喜长春理工大学申请的专利单晶钙钛矿材料及其制备方法和窄带光响应探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114188486B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111483385.8，技术领域涉及：H10K85/50；该发明授权单晶钙钛矿材料及其制备方法和窄带光响应探测器是由方铉;张倩文;王登魁;房丹;田丰;王海珠;范杰;李金华;翟英娇;楚学影;王晓华设计研发完成，并于2021-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本单晶钙钛矿材料及其制备方法和窄带光响应探测器在说明书摘要公布了：本申请提供一种单晶钙钛矿材料及其制备方法和窄带光响应探测器。单晶钙钛矿材料，包括钙钛矿单晶和包覆在其表面的金属氧化物膜层；钙钛矿单晶包括通式为MAPbX3的化合物中的一种或多种。单晶钙钛矿材料的制备方法：将钙钛矿单晶前驱体溶液在加热条件下静置，固液分离得到所述钙钛矿单晶；以臭氧为氧的前驱体、以金属氧化物膜层对应的金属的化合物为金属前驱体，在钙钛矿单晶的表面进行原子层沉积，从而引入界面偶极子层，得到单晶钙钛矿材料。窄带光响应探测器，其原料包括所述的单晶钙钛矿材料。本申请提供的单晶钙钛矿材料，进一步窄化光响应半峰宽、抑制了背景噪声，提高了短波抑制比，有效提高了单晶的稳定性并且增强了器件的使用寿命。
本发明授权单晶钙钛矿材料及其制备方法和窄带光响应探测器在权利要求书中公布了：1.一种窄带光响应探测器，其特征在于，其原料包括单晶钙钛矿材料，所述单晶钙钛矿材料包括钙钛矿单晶和包覆在其表面的金属氧化物膜层；所述钙钛矿单晶包括通式为MAPbX3的化合物中的一种或多种，其中，X为Cl、Br和I中的一种或多种；所述金属氧化物膜层的材料包括氧化铝、氧化铪中的一种或多种；所述金属氧化物膜层的厚度为50nm-300nm。
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