买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体结构的制备方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119650518B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510174509.6，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构的制备方法及半导体结构是由王文智;张国伟;周文鑫;王建智设计研发完成，并于2025-02-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的制备方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体结构的制备方法及半导体结构，该方法于第一金属层结构上形成第一牺牲层，通过刻蚀第一牺牲层形成若干间隔设置的台阶型第一沟槽，并于第一沟槽内形成第二金属导线和宽度小于第二金属导线的金属通孔。接着，去除相邻第二金属导线间的第一牺牲层，形成第二沟槽，并于第二沟槽内填充介质层材料形成第一介质层。刻蚀第一介质层至露出部分金属通孔侧壁的第一牺牲层后，去除金属通孔侧壁的第一牺牲层，使第一介质层与金属通孔之间形成第一气隙，最后于第二沟槽继续填充介质层材料，使第一介质层的顶面与第二金属导线的顶面平齐。由于空气的介电常数远低，第一气隙的形成降低金属互联结构之间的电容，改善RC延迟，提高半导体性能。

本发明授权半导体结构的制备方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供第一金属层结构，于所述第一金属层结构上形成第一牺牲层，刻蚀所述第一牺牲层，形成若干间隔设置的台阶型第一沟槽；于所述第一沟槽内形成金属通孔和第二金属导线，所述金属通孔位于所述第一金属层结构中的第一金属层和所述第二金属导线之间，所述金属通孔的宽度小于所述第二金属导线；通过刻蚀去除相邻所述第二金属导线间的所述第一牺牲层，形成第二沟槽，于所述第二沟槽内填充介质层材料形成第一介质层，其中，在对相邻所述第二金属导线之间的所述第一牺牲层刻蚀时，沿所述第二金属导线的侧壁朝向基底方向刻蚀所述第一牺牲层；对第一介质层进行多次自对准刻蚀，并量测所述第一介质层的厚度，直至所述第一介质层与所述金属通孔侧壁之间存在开口为止，所述开口内露出所述第一牺牲层，去除所述金属通孔侧壁的所述第一牺牲层，使所述第一介质层与所述金属通孔之间形成第一气隙；于所述第二沟槽继续填充介质层材料，使所述第一介质层的顶面与所述第二金属导线的顶面平齐。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人合肥晶合集成电路股份有限公司，其通讯地址为：230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。