恭喜新唐科技股份有限公司巴提·莫尼卡获国家专利权
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龙图腾网恭喜新唐科技股份有限公司申请的专利接面场效应晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114156345B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110493713.6，技术领域涉及：H10D30/83；该发明授权接面场效应晶体管是由巴提·莫尼卡;陈柏安设计研发完成，并于2021-05-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本接面场效应晶体管在说明书摘要公布了：一种接面场效应晶体管包括基底、形成于基底上的外延层、源极区域、漏极区域、栅极区域、第一内埋层以及第二内埋层。基底具有第一导电型，外延层具有第二导电型。源极区域、漏极区域与栅极区域分别设置于外延层的表面内。栅极区域具有第一导电型，源极区域和漏极区域具有第二导电型。第一内埋层具有第二导电型，位于栅极区域正下方的外延层与基底之间。第二内埋层具有第一导电型，位于外延层与基底之间，所述第二内埋层在外延层上的垂直投影是在栅极区域与源极区域之间且不与栅极区域重叠。本发明能够调整与改善JFET的夹止电压，并通过在埋入层靠近源极的一侧设置与通道具有不同导电型的另一埋入层，使该处达到电荷平衡，进而增加崩溃电压。
本发明授权接面场效应晶体管在权利要求书中公布了：1.一种接面场效应晶体管，其特征在于，包括：一基底，具有第一导电型；一外延层，形成于所述基底上，具有第二导电型；一源极区域与一漏极区域，分别设置于所述外延层的表面内，所述源极区域与所述漏极区域具有所述第二导电型；一栅极区域，形成于所述源极区域与所述漏极区域之间的所述外延层的所述表面内，且所述栅极区域具有所述第一导电型；一第一内埋层，位于所述栅极区域正下方的所述外延层与所述基底之间，所述第一内埋层具有所述第二导电型；以及一第二内埋层，位于所述外延层与所述基底之间，所述第二内埋层在所述外延层上的垂直投影是在所述栅极区域与所述源极区域之间且不与所述栅极区域重叠，其中所述第二内埋层具有所述第一导电型。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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