恭喜至誉科技(武汉)有限公司李悦获国家专利权
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龙图腾网恭喜至誉科技(武汉)有限公司申请的专利一种提高固态硬件存储性能方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114300027B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111369308.X，技术领域涉及：G11C16/26；该发明授权一种提高固态硬件存储性能方法及装置是由李悦;弗兰克·陈;李晓龙设计研发完成，并于2021-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提高固态硬件存储性能方法及装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种提高固态硬件存储性能方法及装置，涉及固态硬盘存储领域，该方法包括记录各个SSDSolidStateDrive，固态硬盘块区写入待读取数据的写入时间；接到任一SSD块区读取命令后，依照存储时长与偏移电压的对应关系，以对应的偏移电压读取所述待读取数据；所述存储时长与偏移电压的对应关系由测试数据在不同SSD块区存储不同的时间后，记录成功读取所述测试数据所使用的偏移电压所得到，本发明减少了因为长时间存储劣化造成的重读次数，进而提升了SSD的数据读取性能，减少了主机响应延迟，减少了SSD错误处理的开销。
本发明授权一种提高固态硬件存储性能方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种提高固态硬件存储性能方法，其特征在于，其包括：记录各个SSD（SolidStateDrive，固态硬盘）块区写入待读取数据的写入时间；接到任一SSD块区读取命令后，依照存储时长与偏移电压的对应关系，以对应的偏移电压读取所述待读取数据；所述存储时长与偏移电压的对应关系由测试数据在不同SSD块区存储不同的时间后，记录成功读取所述测试数据所使用的偏移电压所得到；SSD由于长时间掉电，产生多次重读，启动所述SSD自校准功能；根据SSD自校准功能提供的建议电压，以及存储时长与偏移电压的对应关系反推存储时间，进而创建或更新各个SSD块区的写入时间。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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