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龙图腾网恭喜上海新储集成电路有限公司申请的专利一种一次可编程只读存储器及其写入方法、读出方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114420184B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111501940.5，技术领域涉及：G11C16/06；该发明授权一种一次可编程只读存储器及其写入方法、读出方法是由宋志棠;李喜;朱敏;宋三年;张国飙设计研发完成，并于2021-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种一次可编程只读存储器及其写入方法、读出方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种一次可编程只读存储器及其写入方法、读出方法，涉及集成电路技术领域，包括存储单元，存储单元包括：第一电极层、第二电极层以及介于第一电极层和第二电极层之间的单质材料层；存储单元具有第一阈值转变电压和第二阈值转变电压，第一阈值转变电压大于第二阈值转变电压；存储单元还具有第一写入电压和读电压，第一写入电压大于第一阈值转变电压；第一读出电压大于第二阈值转变电压，且第一读出电压小于第一阈值转变电压。本发明不仅具有阈值开关功能，还具有存储功能的优点，静态功耗低、结构简单、工艺要求低、可三维集成与三维微缩，适用于交叉阵列结构，尤其是高密度的三维一次可编程只读存储器。

本发明授权一种一次可编程只读存储器及其写入方法、读出方法在权利要求书中公布了：1.一种一次可编程只读存储器，其特征在于，包括一存储单元，所述存储单元包括：第一电极层、第二电极层以及介于所述第一电极层和所述第二电极层之间的单质材料层，所述单质材料层采用碲元素或硒元素；成形后的所述存储单元在无外界电场时呈现出高电阻，所述存储单元具有：一第一阈值转变电压，所述第一阈值转变电压为首次施加电压时所述存储单元由高电阻转化为低阻时的翻转电压；一第二阈值转变电压，所述第二阈值转变电压为后续施加电压时所述存储单元由高电阻转化为低阻时的翻转电压；其中，所述第一阈值转变电压大于所述第二阈值转变电压；所述存储单元还具有：一第一写入电压，所述第一写入电压大于所述第一阈值转变电压；一第一读出电压，所述第一读出电压大于所述第二阈值转变电压，且所述第一读出电压小于所述第一阈值转变电压。

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