恭喜长江先进存储产业创新中心有限责任公司彭文林获国家专利权
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龙图腾网恭喜长江先进存储产业创新中心有限责任公司申请的专利一种选通器、存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114447024B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111572179.4，技术领域涉及：H10B63/10；该发明授权一种选通器、存储器及其制备方法是由彭文林;刘峻;杨海波;刘广宇;付志成设计研发完成，并于2021-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种选通器、存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种选通器，所述选通器包括：选通层，所述选通层的材料包括二维Bi2O2X材料，其中X选自S、Se、Te中的至少一种。本发明通过采用二维Bi2O2X材料作为选通层，利用其平面外方向的单极性阻变行为实现选通层的功能，可以实现很好的双向导通特性。由于二维材料的特性，可以很好地降低器件深宽比，因而有利于器件的高密度。另外二维的Bi2O2X材料自身具有绝缘特性，在关态时具有较低的漏电流。同时，可通过调节材料中的氧空位以及X空位控制器件性能，该选通层有更好的调控自由度。
本发明授权一种选通器、存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种选通器，其特征在于，包括：选通层，所述选通层的材料包括二维Bi2O2X材料，其中X选自S和Te中的至少一种，所述选通层的厚度小于或等于7nm；所述Bi2O2X材料包括氧空位和X空位，所述氧空位的浓度大于0.02小于0.2，所述X空位的浓度大于0.01小于0.1。
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