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龙图腾网恭喜华南理工大学申请的专利载流子传输层结构及含该载流子传输层结构的薄膜发光二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114665037B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210249768.7，技术领域涉及：H10K50/14；该发明授权载流子传输层结构及含该载流子传输层结构的薄膜发光二极管是由叶轩立;褚凌浩;陈梓铭;黎振超设计研发完成，并于2022-03-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本载流子传输层结构及含该载流子传输层结构的薄膜发光二极管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种载流子传输层结构，包括金属氧化物传输层、有机物传输层及位于所述金属氧化物传输层和所述有机物传输层之间的自组装单分子层，所述自组装单分子层的结构式为R1‑R‑R2，其中，R1端用于连接所述金属氧化物传输层，R2端用于连接所述有机物传输层，R1含羧基或磷酸基，R选自碳基骨架，R2具有所述有机物传输层中相同或相似的功能基团。本发明的载流子传输层结构能改善金属氧化物传输层与有机物传输层之间的接触性能附着性能及加强载流子注入。本发明还提供一种含该载流子传输层结构的薄膜发光二极管。

本发明授权载流子传输层结构及含该载流子传输层结构的薄膜发光二极管在权利要求书中公布了：1.一种薄膜发光二极管，其特征在于，包括载流子传输层结构，所述载流子传输层结构用于传输空穴，在所述载流子传输层结构的一侧设有阳极，在所述载流子传输层结构的另一侧依次设有发光部、电子传输层和阴极，或者所述载流子传输层结构用于传输电子，在所述载流子传输层结构的一侧设有阴极，在所述载流子传输层结构的另一侧依次设有发光部、空穴传输层和阳极，所述载流子传输层结构包括金属氧化物传输层、有机物传输层及位于所述金属氧化物传输层和所述有机物传输层之间的自组装单分子层，所述自组装单分子层的结构式为R1-R-R2，其中，R1端用于连接所述金属氧化物传输层，R2端用于连接所述有机物传输层，R1含羧基或磷酸基，R选自碳基骨架，R2具有所述有机物传输层中相同的功能基团，所述金属氧化物传输层的材料选自氧化锡、氧化铜、氧化镍、氧化锌、三氧化钨中的至少一种，所述有机物传输层的材料选自芳胺类、咔唑类、咪唑类、吡啶类、富勒烯类中的至少一种。

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