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龙图腾网恭喜浙江大学申请的专利一种交错浮岛器件及其快速开通结构和自对准的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119092532B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411585936.5，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种交错浮岛器件及其快速开通结构和自对准的制造方法是由王珩宇;盛况;夏润泽;王策设计研发完成，并于2024-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种交错浮岛器件及其快速开通结构和自对准的制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域中的一种交错浮岛器件及其快速开通结构和自对准的制造方法，交错浮岛器件包括表面层、底层和漂移区，漂移区包括若干组外延层和若干组浮岛层，浮岛层交错布局，浮岛层中的浮岛由两个掺杂区构成，至少两组浮岛层的浮岛在俯视方向下部分重叠或者无重叠，每两组外延层之间设置有一组浮岛层，或每两组浮岛层之间设置有一组外延层，其中快速开通结构的浮岛层中设置有重掺杂反型区。浮岛采用两个掺杂区有利于使退火后浮岛掺杂浓度接近理想均匀分布，并且有利于增大浮岛的结电容，降低开启电压。交错设置的浮岛具有减小多次开通后空间电荷对电流的阻碍的优点，缓解了浮岛器件在多次开通后导通能力下降的问题。

本发明授权一种交错浮岛器件及其快速开通结构和自对准的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种快速开通的交错的浮岛器件，其特征在于，包括表面层、底层和漂移区，所述漂移区包括若干组外延层和若干组浮岛层，每两组所述外延层之间设置有一组浮岛层，或每两组所述浮岛层之间设置有一组外延层，其中至少有两组浮岛层，其中至少两组浮岛层中设置有第一掺杂区、第二掺杂区和第四掺杂区，所述第二掺杂区分布于第一掺杂区上部，所述第四掺杂区分布于所述第二掺杂区中或者部分所述第四掺杂区分布于所述第二掺杂区中，所述第二掺杂区浓度高于第一掺杂区，所述第一掺杂区、第二掺杂区与所述外延层的掺杂类型相反，所述第四掺杂区的掺杂类型与所述外延层的掺杂类型相同，其中至少一组浮岛层的第一掺杂区、第二掺杂区、第四掺杂区和另一组浮岛层的第一掺杂区、第二掺杂区、第四掺杂区在水平方向上位置不同，即其中至少一组浮岛层的第一掺杂区、第二掺杂区、第四掺杂区和另一组浮岛层的第一掺杂区、第二掺杂区、第四掺杂区在俯视方向下部分重叠或者无重叠，所述表面层和底层位于漂移区的两端。

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