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龙图腾网恭喜上海维安半导体有限公司申请的专利一种双向非对称电压保护器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119545912B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510096418.5，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权一种双向非对称电压保护器件及其制备方法是由蒋骞苑;陈凯华;张伟;赵德益;顾彦国;张啸;李佳豪;王嘉乐设计研发完成，并于2025-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双向非对称电压保护器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种双向非对称电压保护器件及其制备方法，属于半导体保护器件技术领域，包括：第一单向导通单元，其输入端连接第一端口；第二单向导通单元，其输入端连接第二端口；第三单向导通单元，其输出端连接第一端口；第四单向导通单元，其输出端连接第二端口；第一晶体管单元，其输入端连接第一单向导通单元的输出端；第二晶体管单元，其输入端分别连接第一晶体管单元的输出端以及第二单向导通单元的输出端，输出端分别连接第三单向导通单元和第四单向导通单元的输入端。有益效果：本发明器件的其中一个方向具有较高的击穿电压，能够承受误插带来的高电压冲击，另一方向具有较低的击穿电压，能够确保信号传输的完整性和后级电路的有效保护。

本发明授权一种双向非对称电压保护器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种双向非对称电压保护器件，其特征在于，所述器件形成于半导体基底中并连接于第一端口和第二端口之间，包括：第一单向导通单元，所述第一单向导通单元的输入端连接所述第一端口；第二单向导通单元，所述第二单向导通单元的输入端连接所述第二端口；第三单向导通单元，所述第三单向导通单元的输出端连接所述第一端口；第四单向导通单元，所述第四单向导通单元的输出端连接所述第二端口；第一晶体管单元，所述第一晶体管单元的输入端连接所述第一单向导通单元的输出端；第二晶体管单元，所述第二晶体管单元的输入端分别连接所述第一晶体管单元的输出端以及所述第二单向导通单元的输出端，所述第二晶体管单元的输出端分别连接所述第三单向导通单元和所述第四单向导通单元的输入端。

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