恭喜杭州谱析光晶半导体科技有限公司许一力获国家专利权
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龙图腾网恭喜杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请的专利一种抑制漏源电压过冲的SiCVDMOSFET结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119653833B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510181639.2，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种抑制漏源电压过冲的SiCVDMOSFET结构及其制备方法是由许一力;李鑫;刘倩倩设计研发完成，并于2025-02-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种抑制漏源电压过冲的SiCVDMOSFET结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种抑制漏源电压过冲的SiCVDMOSFET结构，包括金属漏极、半导体外延层、金属源极、栅极，以及覆盖在栅极表面的栅氧化层，所述半导体外延层包括有N衬底层、扩散层、P阱层、掺杂P层以及N阱层；所述栅极的截面轮廓呈倒‘U’字形状，并且所述栅极的下方设有多晶硅掺杂层；所述P阱层的截面轮廓呈‘L’字形状，所述P阱层的截面高度高于多晶硅掺杂层的截面高度；所述多晶硅掺杂层的下方设有掺杂N层，其中掺杂N层阻隔多晶硅掺杂层与扩散层的直接接触。本发明通过在半导体外延层的内部通过沉积形成多晶硅掺杂层，多晶硅掺杂层能够以减少漏源电压过冲的影响，并且有效抑制高电场的集中，避免高电压下的击穿现象。
本发明授权一种抑制漏源电压过冲的SiCVDMOSFET结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种抑制漏源电压过冲的SiCVDMOSFET结构，包括金属漏极（1）、半导体外延层、金属源极（10）、栅极（8），以及覆盖在栅极（8）表面的栅氧化层（9），其特征在于：所述半导体外延层包括有N衬底层（2）、扩散层（3）、P阱层（4）、掺杂P层（5）以及N阱层（6）；所述栅极（8）的截面轮廓呈倒‘U’字形状，并且所述栅极（8）的下方设有多晶硅掺杂层（7）；所述多晶硅掺杂层（7）的下方设有掺杂N层（11），其中掺杂N层（11）阻隔多晶硅掺杂层（7）与扩散层（3）的直接接触。
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