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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利制造半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110739266B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910653663.6，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权制造半导体器件的方法是由金汶根;朴在花;金埈宽;文孝贞;朴承钟;裵涩琪设计研发完成，并于2019-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本制造半导体器件的方法在说明书摘要公布了：一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成第一布线层，所述第一布线层包括第一金属布线和包围所述第一金属布线的第一层间绝缘膜，在所述第一布线层上形成第一通孔层，所述第一通孔层包括与所述第一金属布线电连接的第一通孔和包围所述第一通孔的第二层间绝缘膜；并且在所述第一通孔层上形成第二布线层，所述第二布线层包括与所述第一通孔电连接的第二金属布线和包围所述第二金属布线的第三层间绝缘膜，其中，所述第三层间绝缘膜包含氘并且通过使用包含氘的第一气体和包含氢的第二气体的化学气相沉积而形成。

本发明授权制造半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成第一布线层，所述第一布线层包括第一金属布线和包围所述第一金属布线的第一层间绝缘膜；在所述第一布线层上形成第一通孔层，所述第一通孔层包括与所述第一金属布线电连接的第一通孔和包围所述第一通孔的第二层间绝缘膜；以及在所述第一通孔层上形成第二布线层，所述第二布线层包括与所述第一通孔电连接的第二金属布线和包围所述第二金属布线的第三层间绝缘膜，其中，所述第三层间绝缘膜包含氘并且通过使用第一气体和包含氢的第二气体的化学气相沉积而形成，所述第一气体包括以下项中的一种或多种：SiD4、D2、D2O、HD3、Si2D6或C2H53SiD，并且形成所述第二布线层包括：在所述第一通孔层上形成所述第二金属布线，形成所述第二金属布线包括在所述第二层间绝缘膜上形成第二金属布线材料，然后对所述第二金属布线材料进行图案化；以及在对所述第二金属布线材料进行图案化之后，形成所述第三层间绝缘膜以包围所述第二金属布线。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。