恭喜福建省晋华集成电路有限公司颜逸飞获国家专利权
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龙图腾网恭喜福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114464622B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210147369.X，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构是由颜逸飞;冯立伟;陈凯评设计研发完成，并于2020-04-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体结构。绝缘图案至少覆盖间隔节点接触结构的第一开口的侧壁，并且绝缘图案的上表面还往所述第一开口中凹陷以形成凹陷部，使得通过一层膜层即可替代现有的两个膜层构成的绝缘图案，从而省略了现有技术中研磨去除部分厚度的绝缘材料层以及重新形成掩模材料层的步骤，简化了存储器的制备工艺，提高了制备的效率，并且由于形成电容结构时通常会采用到多次研磨工艺使得衬底的表面平坦化，所以即使绝缘图案的表面不平整也不会对存储器的性能产生影响。
本发明授权半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；多个节点接触结构，从所述衬底上向上延伸；多个第一开口，位于相邻的节点接触结构之间；绝缘图案，位于所述第一开口中，所述绝缘图案至少覆盖所述第一开口的侧壁并向上延伸，所述绝缘图案的上表面还往所述第一开口中凹陷以形成凹陷部；以及，电容结构，包含下电极、金属氧化物层和上电极，其中所述下电极和节点接触结构直接接触，所述金属氧化物层至少部分位于所述绝缘图案上并遮盖所述凹陷部以形成气隙。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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