恭喜美光科技公司松本博一获国家专利权
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龙图腾网恭喜美光科技公司申请的专利用于半导体布局的设备及方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112635466B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010993144.7,技术领域涉及:H10B12/00;该发明授权用于半导体布局的设备及方法是由松本博一;铃木亮太;国府田充树;佐藤诚设计研发完成,并于2020-09-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于半导体布局的设备及方法在说明书摘要公布了:本申请案涉及用于半导体布局的设备及方法。本发明的实施例涉及用于包含加宽部分的沟槽壁及或包含收缩部分的导电结构的设备及方法。在一些实例中,所述沟槽壁可包含沿着所述沟槽壁的长度隔开的多个加宽部分。类似地,在一些实例中,所述导电结构可包含沿着所述导电结构的长度隔开的多个收缩部分。在一些实例中,所述加宽部分的尺寸及或所述加宽部分之间的间隔可基于所述沟槽壁的性质。
本发明授权用于半导体布局的设备及方法在权利要求书中公布了:1.一种在半导体装置中使用的用于耦合两个或更多个组件的设备,所述设备包括:沟槽壁,其在第一维度上延伸第一长度且在第二维度上具有第一宽度以及在第三维度上具有高度,其中所述沟槽壁包含第一加宽部分,其中所述第一加宽部分:在所述第一维度上延伸第二长度,其中所述第二长度小于所述第一长度;且在所述第二维度中具有第二宽度,其中所述第二宽度大于所述第一宽度,其中由所述沟槽壁部分地限定的沟槽填充有导电材料。
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