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龙图腾网恭喜桂林电子科技大学申请的专利一种CMOS超宽带低噪声放大器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113131876B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110526514.0，技术领域涉及：H03F1/26；该发明授权一种CMOS超宽带低噪声放大器是由岳宏卫;杨华光设计研发完成，并于2021-05-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种CMOS超宽带低噪声放大器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种CMOS超宽带低噪声放大器，包括输入级互补共源电路、中间级共源负反馈电路和输出级共源buffer电路。本发明创新性地在互补共源级基础上引入电阻反馈，电感峰化技术、源极退化电感技术和伪电阻结构，同时结合共源负反馈电路，共源buffer电路和电流复用技术，使得整体电路具有宽带宽的同时、达到良好的增益、噪声系数和功耗等指标。本发明能够工作在0.15～11GHz频带内，覆盖了5G中低频段范围450MHz～6GHz以及IMT业务在6GHz候选频段5925～7125MHz范围，同时也兼容UWB标准频段3.1～10.6GHz。

本发明授权一种CMOS超宽带低噪声放大器在权利要求书中公布了：1.一种CMOS超宽带低噪声放大器，其特征是，包括输入级互补共源电路、中间级共源负反馈电路和输出级共源buffer电路；输入级互补共源电路包括PMOS晶体管M1，NMOS晶体管M2，耦合电容C1，反馈电阻R1，峰化电感L1，源极退化电感L2，峰化电感L3和伪电阻Rpseudo；PMOS晶体管M1的源极和衬底与电源VDD相连；PMOS晶体管M1的栅极通过耦合电容C1与输入端Vin相连、通过反馈电阻R1与PMOS晶体管M1的漏极相连、以及通过峰化电感L1与NMOS晶体管M2的栅极相连；PMOS晶体管M1的漏极与NMOS晶体管M2的漏极相连；NMOS晶体管M2的源极通过源极退化电感L2接地；NMOS晶体管M2的衬底通过伪电阻Rpseudo接地；中间级共源负反馈电路包括NMOS晶体管M3-M4，并联峰化电感L4，负反馈电阻R2，负载电阻R3和电容C2；NMOS晶体管M3漏极通过串联的负载电阻R3和并联峰化电感L4与电源VDD相连；NMOS晶体管M3的栅极通过峰化电感L3与PMOS晶体管M1的漏极相连；NMOS晶体管M3的源极通过并联的负反馈电阻R2和电容C2接地；NMOS管M3的衬底接地；NMOS晶体管M4的栅极与NMOS晶体管M3的栅极相连；NMOS晶体管M4的源极和衬底接地；输出级共源buffer电路包括NMOS晶体管M5，耦合电容C3和电感L5；NMOS晶体管M5的漏极与电源VDD相连；NMOS晶体管M5的栅极与NMOS晶体管M3的漏极相连；NMOS晶体管M5的源极通过耦合电容C3与输出端Vout相连、以及通过电感L5与NMOS晶体管M4的漏极相连；NMOS晶体管M5的衬底接地。

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