恭喜深圳大学刘新科获国家专利权
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龙图腾网恭喜深圳大学申请的专利新型GaN共源放大器及其凹槽刻蚀制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113471072B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110684736.5，技术领域涉及：H01L21/3065；该发明授权新型GaN共源放大器及其凹槽刻蚀制备方法是由刘新科;邹苹;陈勇;吴钧烨;杨嘉颖;林钰恒;林峰;黎晓华;贺威;宋利军;黄双武设计研发完成，并于2021-06-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本新型GaN共源放大器及其凹槽刻蚀制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种新型GaN共源放大器的凹槽刻蚀制备方法，该制备方法包括：在n型高掺杂自支撑GaN衬底上生长外延结构，外延结构包括GaN缓冲层以及AlGaN缓冲层；在外延结构表面顺序镀上一个源极和两个漏极；在两个漏极之间进行凹槽刻蚀；在外延结构表面镀上栅极，形成新型GaN共源放大器，栅极位于源极与漏极之间。本发明还提供一种新型GaN共源放大器。本制备方法在两个漏极之间进行凹槽刻蚀，从而减少其中载流子的运动而使这部分区域的电阻变大，无需外加电阻，减少了生产的工序，增加产品的使用寿命。
本发明授权新型GaN共源放大器及其凹槽刻蚀制备方法在权利要求书中公布了：1.一种凹槽刻蚀制备GaN共源放大器的方法，其特征在于，所述共源放大器的制备方法包括如下步骤：在n型高掺杂自支撑GaN衬底上生长外延结构，所述外延结构包括GaN缓冲层以及AlGaN势垒层；在所述外延结构表面顺序镀上一个源极和一个漏极和一个Vdd极；在所述漏极和Vdd极之间进行凹槽刻蚀，在GaN外延结构中形成凹槽，从而减少其中载流子的运动而使这部分区域的电阻变大，达到对电压的放大；在所述外延结构表面镀上栅极，形成所述GaN共源放大器，所述栅极位于所述源极与所述漏极之间。
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