恭喜合肥京东方显示技术有限公司;京东方科技集团股份有限公司张瑞锋获国家专利权
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龙图腾网恭喜合肥京东方显示技术有限公司;京东方科技集团股份有限公司申请的专利等离子体设备的下电极结构和等离子体设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114792618B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210431750.9，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权等离子体设备的下电极结构和等离子体设备是由张瑞锋;钱海蛟;汪涛;陈亮;赵立星;刘泽旭;李秋静;沈世妃;刘建涛设计研发完成，并于2022-04-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本等离子体设备的下电极结构和等离子体设备在说明书摘要公布了：本公开提供一种等离子体设备的下电极结构和等离子体设备。该下电极结构包括：下电极、绝缘层和基座，绝缘层设置在基座上，下电极设置在绝缘层上，在基座上设有排气通道并在基座的上表面形成至少一个排气口，下电极结构还包括整流结构，整流结构为绝缘材料并且高度超出下电极，整流结构位于排气口的朝向下电极的一侧，以减缓下电极的靠近排气口区域处的排气流速。该下电极结构有助于提高工艺结果的一致性。
本发明授权等离子体设备的下电极结构和等离子体设备在权利要求书中公布了：1.一种等离子体设备的下电极结构，其特征在于，包括：下电极、绝缘层和基座，所述绝缘层设置在所述基座上，所述下电极设置在所述绝缘层上，在所述基座上设有排气通道并在所述基座的上表面形成至少一个排气口，所述下电极结构还包括整流结构，所述整流结构为绝缘材料并且高度超出所述下电极，所述整流结构位于所述排气口的朝向所述下电极的一侧，以减缓所述下电极的靠近所述排气口区域处的排气流速；所述整流结构呈板状，其垂直于或接近垂直于所述下电极所处平面；所述下电极呈矩形，所述排气口设在所述下电极的4角外侧，所述整流结构包括一一对应的4个第一平板和4个第二平板，所述第一平板与对应的第二平板拼接成直角二面角，所述第一平板与所述下电极的一组对边具有相同的延伸方向，所述第二平板与所述下电极的另一组对边具有相同的延伸方向，所述直角二面角的开口方向朝向所述下电极的中心区域。
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