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龙图腾网恭喜哈尔滨工业大学申请的专利一种半导体材料机器学习力场开发方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115146535B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210762668.4，技术领域涉及：G06F30/27；该发明授权一种半导体材料机器学习力场开发方法是由荆宇航;李兴冀;牛宏伟;刘中利;杨剑群设计研发完成，并于2022-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体材料机器学习力场开发方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体材料机器学习力场开发方法，包括使用VASP软件进行半导体材料的第一原理分子动力学模拟，获得MD中的每一帧构象的势能和原子受力信息；使用经验力场进行含PKA的MD模拟，获得含PKA的MD模拟轨迹；利用VASP软件对轨迹中的构象进行单点能计算，获取含PKA的MD模拟构象的势能和原子受力信息；将MD模拟和含PKA的MD模拟中的构象势能和原子受力信息作为数据库，训练得到机器学习力场。本发明使用经验力场进行含PKA的MD模拟，之后使用第一原理计算轨迹中构象的势能和原子受力，获得了和辐照缺陷演化实际工况接近的数据库，从而实现了建立准确表征材料中辐照缺陷演化过程的材料机器学习力场。

本发明授权一种半导体材料机器学习力场开发方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体材料机器学习力场开发方法，其特征在于，包括：步骤S1：使用VASP软件进行半导体材料的第一原理分子动力学模拟，获得分子动力学模拟中的每一帧构象及所述构象的势能和原子受力信息；步骤S2：使用经验力场对含PKA的半导体材料进行分子动力学模拟，获得含PKA的分子动力学模拟轨迹；步骤S3：利用所述VASP软件对所述含PKA的分子动力学模拟轨迹中的构象进行单点能计算，获取含PKA的分子动力学模拟构象的势能和原子受力信息；步骤S4：将所述步骤S1获得的分子动力学模拟中的每一帧构象的势能和原子受力信息和步骤S3获得的含PKA的分子动力学模拟构象的势能和原子受力信息作为数据库，通过训练得到半导体材料机器学习力场。

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