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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113224056B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011271904.X，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权半导体器件是由丁少锋;姜旻局;金知炯;安正勋;刘海利;崔允基设计研发完成，并于2020-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件在说明书摘要公布了：一种半导体器件包括：衬底，所述衬底包括逻辑单元区域和连接区域；虚设晶体管，所述虚设晶体管位于所述连接区域上；中间连接层，所述中间连接层位于所述虚设晶体管上；第一金属层，所述第一金属层位于所述中间连接层上；蚀刻停止层，所述蚀刻停止层位于所述中间连接层与所述第一金属层之间；贯穿接触，所述贯穿接触位于所述第一金属层下方，所述贯穿接触穿透所述连接区域，所述贯穿接触的上部突出超过所述蚀刻停止层；以及保护绝缘图案，所述保护绝缘图案位于所述蚀刻停止层上，所述保护绝缘图案覆盖所述贯穿接触的所述上部。所述保护绝缘图案覆盖所述贯穿接触的上侧表面和所述贯穿接触的顶表面。

本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包括逻辑单元区域和连接区域；虚设晶体管，所述虚设晶体管位于所述连接区域上；中间连接层，所述中间连接层位于所述虚设晶体管上；第一金属层，所述第一金属层位于所述中间连接层上；蚀刻停止层，所述蚀刻停止层位于所述中间连接层与所述第一金属层之间；贯穿接触，所述贯穿接触位于所述第一金属层下方，所述贯穿接触穿透所述连接区域，所述贯穿接触的上部突出超过所述蚀刻停止层；以及保护绝缘图案，所述保护绝缘图案位于所述蚀刻停止层上，所述保护绝缘图案部分地覆盖所述蚀刻停止层的顶表面并且覆盖所述贯穿接触的所述上部，并且所述保护绝缘图案从所述蚀刻停止层的所述顶表面延伸到所述贯穿接触的顶表面上以覆盖所述贯穿接触的上侧表面和所述贯穿接触的所述顶表面。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。