买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜北京昌龙智芯半导体有限公司申请的专利掺杂质注入方法、碳化硅功率器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112635307B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110076567.7，技术领域涉及：H01L21/265；该发明授权掺杂质注入方法、碳化硅功率器件及其制备方法是由金宰年;叶宏伦;钟其龙;刘芝韧;刘崇志设计研发完成，并于2021-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本掺杂质注入方法、碳化硅功率器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种掺杂质注入方法、碳化硅功率器件及其制备方法，其中，本发明通过在室温下先沉积非晶态的SiC并注入掺杂质，后再利用高温热扩散渗入SiC基板，这过程不需依赖高温离子注射工艺与昂贵的设备，损坏程度小，同时改善欧姆接触特性。而MPS二极管、MOSFET等功率器件在制备过程中也采用上述离子注入的方法，不需依赖高温离子注射工艺与昂贵的设备，不损坏SiC基板，改善器件反偏压漏电流、肖特基势垒降低效应的情况。同时改善阳极金属和网格层的欧姆接触特性，可以在大电流涌动的情况下有效地防护器件。

本发明授权掺杂质注入方法、碳化硅功率器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅功率器件，其特征在于：所述功率器件为MPS二极管，所述MPS二极管上设有有源区域和外围区域；所述MPS二极管的制备方法如下：步骤1、在SiC基板上生长SiC外延层；步骤2、在SiC外延层上形成多晶SiC层和P型结或N型结，所述P型结或N型结位于MPS二极管的有源区域形成P型或N型网格，位于MPS二极管的外围区域则形成P型或N型防护沟；具体如下：步骤2.1、在SiC基板上生长非晶态SiC层，并在室温下注入掺杂质；或者，在SiC基板上生长含掺杂质的非晶态SiC层；步骤2.2、定义出所需掺杂质注入的区域后，进行光刻，去除不需要注入掺杂质区域内的非晶态SiC层；步骤2.3、在SiC基板和非晶态SiC层上在沉积覆盖层，然后进行热处理，形成多晶SiC层和P型结或N型结，所述多晶SiC层由非晶态SiC层高温下转变而成，所述P型结或N型结由非晶态SiC中的掺杂质在高温下渗入SiC基板上形成；热处理完成后，去除覆盖层；步骤3、在SiC外延层和多晶SiC层上生长绝缘膜；图案化顶部绝缘膜，将有源区域的绝缘膜移除；然后将阳极金属覆盖在有源区域和相邻外围区域的部分区域上；阳极金属与SiC外延层具有肖特基接触特性、与多晶SiC层具有欧姆接触特性；步骤4、在SiC基板下端覆盖阴极金属，形成欧姆接触特性；所述MPS二极管包括SiC基板以及设置在SiC基板上的N-型SiC外延层，在SiC外延层上端形成有多个多晶SiC层，在SiC外延层上部形成有多个与多晶SiC层对应的P型结，位于有源区域的P型结为P型网格，位于外围区域的P型结为P型防护结，P型网格和P型防护沟是透过多晶SiC层中的P型掺杂质扩散渗入外延层形成；在SiC外延层和多晶SiC层上设有绝缘膜，该绝缘膜位于外围区域；在有源区域和相邻外围区域的部分区域上设有阳极金属，该阳极金属与SiC外延层具有肖特基接触特性、与多晶SiC层具有欧姆接触特性。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京昌龙智芯半导体有限公司，其通讯地址为：101300 北京市顺义区文化营村北(顺创二路1号)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。