买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜艾克塞利斯科技公司申请的专利使用电荷剥离机制的离子注入系统中金属污染控制的装置和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115053321B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180012915.2，技术领域涉及：H01J37/317；该发明授权使用电荷剥离机制的离子注入系统中金属污染控制的装置和方法是由卡森·任;舒·佐藤;吉尼斯·博纳克斯;威廉·宾茨设计研发完成，并于2021-02-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本使用电荷剥离机制的离子注入系统中金属污染控制的装置和方法在说明书摘要公布了：一种用于将高电荷态离子注入到工件中同时减轻痕量金属污染的方法包括从离子源中的所需物质产生处于第一电荷状态的所需离子，以及在第一离子束中产生污染物质的痕量金属离子。所需离子和痕量金属离子的荷质比相等。从离子源中提取所需离子和痕量金属离子。从所需离子中剥离至少一个电子以限定处于第二电荷状态的所需离子和痕量金属离子的第二离子束。仅来自第二离子束的所需离子选择性地仅穿过电荷选择器以限定处于第二电荷状态的所需离子的最终离子束并且没有痕量金属离子，并且将第二电荷状态的所需离子注入到工件中。

本发明授权使用电荷剥离机制的离子注入系统中金属污染控制的装置和方法在权利要求书中公布了：1.一种离子注入系统，包括：离子源，配置成产生所需物质的所需离子和污染物质的痕量金属离子，其中所述所需物质的所需离子处于第一电荷状态，并且其中所述所需离子和所述痕量金属离子的荷质比相等，其中当所述第一电荷状态的所述所需离子包括75As3+离子时，所述痕量金属离子包括50Ti2+离子，而当所述第一电荷状态的所述所需离子包括75As4+离子时，所述痕量金属离子包括56Fe3+离子；提取装置，配置成从所述离子源中提取所述所需离子和痕量金属离子以限定第一离子束；质量分析器，配置成从所述第一离子束中选择所述所需离子和痕量金属离子，从而限定经质量分析的离子束；加速器，配置成将所述经质量分析的离子束从第一能量加速到第二能量；电荷剥离装置，配置成从所述所需离子剥离至少一个电子，从而限定包含处于第二电荷状态的所述所需离子和所述痕量金属离子的第二离子束；和电荷选择器，位于所述电荷剥离装置的下游，其中所述电荷选择器配置成选择性地仅使处于所述第二电荷状态的所述所需离子穿过，从而限定包括处于所述第二电荷状态的所述所需离子而不包括痕量金属离子的最终离子束。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人艾克塞利斯科技公司，其通讯地址为：美国马萨诸塞州比佛利市樱桃山大道108号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。