恭喜通威太阳能(成都)有限公司;通威太阳能(合肥)有限公司;通威太阳能(金堂)有限公司;通威太阳能(眉山)有限公司;通威太阳能(安徽)有限公司王锦乐获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜通威太阳能(成都)有限公司;通威太阳能(合肥)有限公司;通威太阳能(金堂)有限公司;通威太阳能(眉山)有限公司;通威太阳能(安徽)有限公司申请的专利一种高效硅异质结太阳能电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112802910B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110175285.2，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权一种高效硅异质结太阳能电池及其制备方法是由王锦乐;肖俊峰设计研发完成，并于2021-02-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高效硅异质结太阳能电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高效硅异质结太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池技术领域。本发明的电池N型晶体硅片的正面依次设置薄层SiO2层、氢化非晶碳氧化硅薄膜层、C掺杂SiO2层、非晶硅掺杂N型层、TCO导电层和电极；背面依次设置薄层SiO2层、氢化非晶碳氧化硅薄膜层、C掺杂SiO2层、非晶硅掺杂P型层、TCO导电层和电极。非晶硅掺杂P型层包括轻掺B非晶硅层和重掺B非晶硅层。本发明以氢化非晶碳氧化硅薄膜作为本征钝化层的异质结太阳电池，实现对晶硅表面优良的钝化效果，减少界面载流子复合；同时采用改进的双扩B工艺，防止B2H6掺杂时B原子向本征非晶硅层扩散带来的禁带宽度的降低和不必要的钝化膜掺杂，提升硅异质结电池的转换效率。
本发明授权一种高效硅异质结太阳能电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高效硅异质结太阳能电池，包括N型晶体硅片1，其特征在于：所述N型晶体硅片1的正面依次设置第二薄层SiO2层301、第二氢化非晶碳氧化硅薄膜层302、第二C掺杂SiO2层303、非晶硅掺杂N型层、第二TCO导电层7和第二电极9；所述N型晶体硅片1的背面依次设置第一薄层SiO2层201、第一氢化非晶碳氧化硅薄膜层202、第一C掺杂SiO2层203、非晶硅掺杂P型层、第一TCO导电层6和第一电极8；所述的薄层SiO2层的厚度为1-3nm；所述的氢化非晶碳氧化硅薄膜层的厚度为2-10nm，禁带宽度为1.7-2.3eV。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人通威太阳能(成都)有限公司;通威太阳能(合肥)有限公司;通威太阳能(金堂)有限公司;通威太阳能(眉山)有限公司;通威太阳能(安徽)有限公司，其通讯地址为：610000 四川省成都市双流区西南航空港经济开发区工业集中发展区六期内；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号