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恭喜苏州海发智能技术有限公司赵启涛获国家专利权

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龙图腾网恭喜苏州海发智能技术有限公司申请的专利一种硅基CMOS荧光氧传感器及其检测方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114113014B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111385737.6,技术领域涉及:G01N21/64;该发明授权一种硅基CMOS荧光氧传感器及其检测方法是由赵启涛设计研发完成,并于2021-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。

一种硅基CMOS荧光氧传感器及其检测方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种硅基CMOS荧光氧传感器及其检测方法,硅基CMOS荧光氧传感器包括光源、硅基CMOS驱动器、微控制器模块和通信模块;硅基CMOS驱动器上设置有阵列排布的金属阳极和检测元件,且金属阳极的阵列与检测元件的阵列交错设置;光源构造为沉积于金属阳极上的具有自主发光性能的OLED薄膜层,OLED薄膜层上沉积有公共透明阴极;透明阴极外封装有透明玻璃板,外面镀有荧光传感膜层。本发明还公开了应用上述荧光氧传感器的检测方法,本发明提供了一种低功耗、微型化、高集成度硅基CMOS光学传感单元。

本发明授权一种硅基CMOS荧光氧传感器及其检测方法在权利要求书中公布了:1.一种硅基CMOS荧光氧传感器,其特征在于,包括光源、硅基CMOS驱动器、微控制器模块和通信模块;所述硅基CMOS驱动器设置于集成线路板PCB背面;所述硅基CMOS驱动器上设置有阵列排布的金属阳极和检测元件,且所述金属阳极的阵列与检测元件的阵列交错设置;所述光源构造为具有自主发光性能的OLED薄膜层,所述OLED薄膜层沉积于所述金属阳极上;所述OLED薄膜层上沉积有公共透明阴极;所述透明阴极外封装有透明玻璃板,所述透明玻璃板外面镀有荧光传感膜层;所述检测元件构造为硅基光电二极管;所述硅基CMOS驱动器与微控制器模块连接,所述通信模块与所述微控制器模块连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人苏州海发智能技术有限公司,其通讯地址为:215000 江苏省苏州市昆山开发区杜鹃路555号C2#厂房7层;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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