恭喜吉林大学李柳暗获国家专利权
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龙图腾网恭喜吉林大学申请的专利可用于单片集成的金刚石基CMOS逻辑电路及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114937667B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210297544.3，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权可用于单片集成的金刚石基CMOS逻辑电路及制备方法是由李柳暗;付诗洋;王启亮;成绍恒设计研发完成，并于2022-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本可用于单片集成的金刚石基CMOS逻辑电路及制备方法在说明书摘要公布了：本发明的可用于单片集成的金刚石基CMOS逻辑电路及制备方法属于半导体单片集成电路技术领域，其结构由下往上依次包括衬底1、金刚石外延层2、氢终端二维空穴气3、绝缘介质层4、半导体层和欧姆接触电极；制备方法包括在衬底上生长金刚石外延层、刻蚀形成凹槽结构、形成氢终端二维空穴气等步骤。本发明工艺简单，利用氢终端金刚石表面的二维空穴气作为栅电极可以有效缩短晶体管栅极长度，并且利用p、n型半导体形成CMOS结构，有利于后续单片集成。
本发明授权可用于单片集成的金刚石基CMOS逻辑电路及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于单片集成的金刚石基CMOS逻辑电路，其特征在于，其结构由下往上依次包括衬底1、金刚石外延层2、氢终端二维空穴气3、绝缘介质层4、半导体层和欧姆接触电极，其中所述的半导体层包括p型半导体5、n型半导体6，所述的欧姆接触电极包括半导体欧姆电极7和空穴气欧姆电极8；所述金刚石外延层2朝向氢终端二维空穴气3的一侧刻蚀有凹槽结构，且凹槽结构刻蚀深度大于二维空穴气沟道所在的深度，以二维空穴气作为凹槽侧壁半导体器件的栅电极。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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