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龙图腾网恭喜美光科技公司申请的专利凹入式半导体装置以及相关联系统和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115377088B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210446838.8，技术领域涉及：H10B80/00；该发明授权凹入式半导体装置以及相关联系统和方法是由A·M·贝利斯;B·P·沃兹设计研发完成，并于2022-04-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本凹入式半导体装置以及相关联系统和方法在说明书摘要公布了：本公开涉及凹入式半导体装置以及相关联系统和方法。本文中公开在凹入式边缘具有镀敷结构的半导体装置、由所述半导体装置形成的半导体组合件以及相关联系统和方法。在一个实施例中，半导体组合件包含第一半导体装置和第二半导体装置。所述第一半导体装置可包含上表面和处于所述上表面上方的第一介电层，所述第二半导体装置可包含下表面和处于所述下表面上方的第二介电层，且所述第一和第二介电层可接合以耦合所述第一和第二半导体装置。所述第一和第二介电层可各自包含暴露所述相应上表面和下表面上的多个金属结构的多个向内延伸的凹部，且所述上表面凹部和金属结构可对应于所述下表面凹部和金属结构。所述金属结构可通过定位于所述凹部中的镀敷结构被电耦合。

本发明授权凹入式半导体装置以及相关联系统和方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体组合件，其包括：第一半导体装置，其包含：上表面，在所述上表面的第一横向边缘处包含多个第一金属结构，和所述上表面上方的第一介电层，所述第一介电层包含从所述第一横向边缘向内延伸的多个第一凹部，所述多个第一凹部至少部分地暴露所述第一金属结构；安装于所述第一半导体装置上的第二半导体装置，所述第二半导体装置包含：下表面，在所述下表面的第二横向边缘处包含多个第二金属结构，其中每个第二金属结构与所述第一半导体装置的对应第一金属结构对齐，和所述下表面上方的第二介电层，所述第二介电层包含从所述第二横向边缘向内延伸的多个第二凹部，所述多个第二凹部至少部分地暴露所述第二金属结构，其中所述第二介电层接合到所述第一半导体装置的所述第一介电层；和定位于所述第一和第二凹部内的多个镀敷结构，其中每个镀敷结构将所述第一半导体装置的第一金属结构电耦合到所述第二半导体装置的对应第二金属结构。

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