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龙图腾网恭喜浙江禾芯集成电路有限公司申请的专利一种垂直型MOSFET芯片的封装结构的封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975130B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210604701.0，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权一种垂直型MOSFET芯片的封装结构的封装方法是由张黎设计研发完成，并于2022-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种垂直型MOSFET芯片的封装结构的封装方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种垂直型MOSFET芯片的封装结构的制作方法，属于半导体封装技术领域。其采用垂直型MOSFET芯片的正面倒装至立体金属框架的刻蚀面上，通过立体金属框架的折转使用实现了垂直型MOSFET芯片的漏极、源极和栅极在同一平面分布，缩短了垂直型MOSFET芯片与外界互联距离，增强了芯片的导电效果，精简了封装结构；同时采用金属导电散热板大面积接触垂直型MOSFET芯片的背面漏极区，散热性能优异，提升了产品的品质；立体金属框架的源极金属引脚和栅极金属引脚设有加强结构，增强了金属柱和塑封材料之间的结合力，达到了增加产品可靠性的目的。

本发明授权一种垂直型MOSFET芯片的封装结构的封装方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直型MOSFET芯片的封装结构的封装方法，其工艺方法如下：步骤一、准备来料的晶圆100，所述晶圆100上有排列整齐的横向与纵向交叉的切割道Ⅰ110，切割道Ⅰ110将晶圆100预分成复数颗垂直型MOSFET芯片10，每一垂直型MOSFET芯片10的正面设有源极区和栅极区、背面设为漏极区；步骤二、依次通过溅射、腐蚀、化学沉积、印刷或者喷涂液态金属的方式分别在垂直型MOSFET芯片10的源极区制作源极导电垫13、在其栅极区设置栅极导电垫15；步骤三、通过低温烧结银连接技术在垂直型MOSFET芯片10的漏极区形成高电导率的银微粒烧结体作为导电线路层30；步骤四、采用切割工艺沿切割道Ⅰ110形成复数颗独立的垂直型MOSFET芯片10,垂直型MOSFET芯片10的源极区设置源极导电垫13、其栅极区设置栅极导电垫15；步骤五、准备一金属导电散热原板400，依次将垂直型MOSFET芯片10的背面整齐装贴到金属导电散热原板400上，垂直型MOSFET芯片10彼此之间留有横向和纵向的切割道Ⅱ410；步骤六、沿切割道Ⅱ410，将金属导电散热原板400切开形成贴合在垂直型MOSFET芯片10背面的金属导电散热板40，形成新的芯片单体11；步骤七、准备立体金属框架条200，其背面的刻蚀面朝上，在其上阵列设置复数个镂空图案220、横向切割道Ⅲ210、纵向切割道Ⅲ230和对位点250，横向切割道Ⅲ210设置在立体金属框架条200的上下两侧边，所述每个镂空图案220在上下横向切割道Ⅲ210的区域内呈连续的图形，上下横向切割道Ⅲ210分别穿过每一个镂空图案220的上沿和下沿，所述横向切割道Ⅲ210和纵向切割道Ⅲ230将立体金属框架条200预分割成复数个立体金属框架20，每一立体金属框架20均有不连续的源极金属片211和栅极金属片213，源极金属片211和栅极金属片213向内分别延伸出源极金属桥墩212和栅极金属桥墩214，镂空图案220形成源极金属片211和栅极金属片213的间隙25，所述间隙25分离源极金属片211和栅极金属片213；在源极金属片211的刻蚀表面的左侧和栅极金属片213的刻蚀表面的右侧分别焊接源极金属引脚22和栅极金属引脚24，所述源极金属引脚22和栅极金属引脚24的柱面设有加强结构，且与立体金属框架20共同构成型腔26；所述加强结构为若干个微凹槽277，或若干个微凸点287；步骤八、依次将所述芯片单体11的正面依次倒装放入立体金属框架条200的型腔26内，通过对位点250对位，其源极导电垫13和栅极导电垫15分别与源极金属桥墩23和栅极金属桥墩25对应固连，实现垂直型MOSFET芯片10的源极和栅极分别与引线框架上的源极金属引脚22和栅极金属引脚24电路导通；步骤九、通过薄膜辅助塑封单面成型工艺用塑封材料90将立体金属框架条200和垂直型MOSFET芯片10包覆，并填充镂空图案220；步骤十、通过研磨工艺暴露出立体金属框架条200的源极金属引脚的刻蚀表面221和栅极金属引脚的刻蚀表面241，以及垂直型MOSFET芯片10的背面的金属导电散热板的表面Ⅱ43；步骤十一、依次通过溅射腐蚀、化学沉积、印刷或者喷涂的方式在源极金属引脚的刻蚀表面231、栅极金属引脚的刻蚀表面241、金属导电散热板的表面Ⅱ43分别制作导电金属层Ⅰ61、导电金属层Ⅱ63和导电金属层Ⅲ65；步骤十二、沿横向切割道Ⅲ210和纵向切割道Ⅲ230将上述封装体分割成复数颗垂直型MOSFET芯片的封装结构单体，将垂直型MOSFET芯片10的源极和栅极通过立体金属框架20向上引至与垂直型MOSFET芯片10的漏极相同的平面。

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