恭喜中国航空制造技术研究院韦国科获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国航空制造技术研究院申请的专利一种碳基磁性复合吸波材料及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115101943B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210617340.3，技术领域涉及：H01Q17/00；该发明授权一种碳基磁性复合吸波材料及其制备方法和应用是由韦国科;周雷;高路;杨名;张行设计研发完成，并于2022-06-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳基磁性复合吸波材料及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及吸波材料技术领域，特别是涉及一种碳基磁性复合吸波材料及其制备方法和应用。该碳基磁性复合吸波材料的制备方法包括磁性基体的准备；预处理；等离子体增强化学气相沉积；以及冷却处理。本发明制备方法可实现碳基磁性复合吸波材料的快速制备，制备得到的碳基磁性复合吸波材料具备良好的吸波性能，通过调节制备工艺参数可实现不同介电响应和吸波性能的碳基磁性复合吸波材料的制备，且该制备方法工艺简单，可操作性强，生产效率高，生产成本低。
本发明授权一种碳基磁性复合吸波材料及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种碳基磁性复合吸波材料的制备方法，其特征在于：其包括以下步骤：S1、磁性基体准备：将磁性基体平铺于耐高温衬底上，置于PECVD设备的加热炉的炉管中，再将所述炉管内抽至真空；所述磁性基体为耐高温磁性金属粉体，所述磁性基体的粒径为1～50μm；S2、预处理：将所述加热炉升温至所述磁性基体的生长温度，然后通入H2对所述磁性基体进行预处理，同时向磁性基体开启等离子体源，以清除磁性基体表面的氧化层；所述磁性基体的生长温度为600～900℃；S3、等离子体增强化学气相沉积：往所述加热炉中通入碳源和辅助气体，在所述磁性基体上原位生长纳米碳层；通过碳纳米层和磁性粉体之间的原位复合，实现碳层与磁性微粉颗粒之间的界面接触，具有良好的界面结合力；S4、冷却处理：停止通入碳源和关闭等离子体源，再往加热炉中通入惰性气体冷却至室温，以获得碳基磁性复合吸波材料。
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