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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利形成图案的方法和使用该方法制造半导体装置的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111415861B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911080316.5，技术领域涉及：H01L21/033；该发明授权形成图案的方法和使用该方法制造半导体装置的方法是由李明东;崔民洙;安浚赫;韩成熙;洪世罗设计研发完成，并于2019-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本形成图案的方法和使用该方法制造半导体装置的方法在说明书摘要公布了：本申请提供了形成图案的方法和使用该方法制造半导体装置的方法。在目标层上形成第一掩膜层和第二掩膜层。图案化第二掩膜层以形成第二掩膜图案，每个第二掩膜图案具有菱形形状，菱形形状具有第一对角线和第二对角线。通过蚀刻对第二掩膜图案执行修整处理以形成第二掩膜。每个第二掩膜图案的相对的第一顶点的第一部分比每个第二掩膜图案的相对的第二顶点的第二部分蚀刻得更多。相对的第一顶点之间的第一对角线的长度大于相对的第二顶点之间的第二对角线的长度。通过使用第二掩膜作为蚀刻掩膜蚀刻第一掩膜层，来图案化第一掩膜层以形成第一掩膜。通过使用第一掩膜作为蚀刻掩膜蚀刻目标层，来图案化目标层以形成目标图案。

本发明授权形成图案的方法和使用该方法制造半导体装置的方法在权利要求书中公布了：1.一种形成图案的方法，所述方法包括：在目标层上形成第一掩膜层；在所述第一掩膜层上形成第二掩膜层；图案化所述第二掩膜层以形成多个第二掩膜图案，所述多个第二掩膜图案中的每个第二掩膜图案具有菱形形状，所述菱形形状具有第一对角线和第二对角线，所述第二对角线的长度比所述第一对角线的长度短；对所述多个第二掩膜图案执行修整处理以形成多个第二掩膜，其中，在所述修整处理中，与所述多个第二掩膜图案中的每个第二掩膜图案的第一对角线的相对的第一顶点对应的第一部分比与所述多个第二掩膜图案中的每个第二掩膜图案的第二对角线的相对的第二顶点对应的第二部分蚀刻得更多；通过使用所述多个第二掩膜作为蚀刻掩膜对所述第一掩膜层执行蚀刻处理，来图案化所述第一掩膜层以形成多个第一掩膜；以及通过使用所述多个第一掩膜作为蚀刻掩膜对所述目标层执行蚀刻处理，来图案化所述目标层以形成多个目标图案。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。