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龙图腾网恭喜中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利多孔微电极阵列的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119390008B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510000703.2，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权多孔微电极阵列的制备方法是由孙鎏炀;路云晓;叶一霏设计研发完成，并于2025-01-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本多孔微电极阵列的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种多孔微电极阵列的制备方法，包括：S100：在衬底上沉积牺牲层，衬底包括第一部分和第二部分，牺牲层沉积在第一部分上；S200：在衬底的第二部分和牺牲层上沉积第一封装层，其中位于牺牲层上的第一封装层具有多个第一通孔；S300：在第一封装层上沉积第一金属层；S400：在位于衬底的第二部分的上方的第一封装层上沉积第二金属层，其中第二金属层覆盖第一金属层的部分；S500：沉积第二封装层，其中第二封装层具有多个第二通孔，第二封装层的各第二通孔与第一封装层的各第一通孔一一对齐；S600：腐蚀掉牺牲层，并将衬底的第一部分切除。本发明的多孔微电极阵列的制备方法，相较于现有的制备方法，工艺更简单。

本发明授权多孔微电极阵列的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种多孔微电极阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S100：在衬底上沉积牺牲层，其中衬底包括第一部分和第二部分，所述牺牲层沉积在所述衬底的第一部分上；S200：在所述衬底的第二部分和所述牺牲层上沉积第一封装层，其中位于所述牺牲层上的第一封装层具有多个第一通孔；所述第一封装层由SU-82005光刻胶形成；S300：在所述第一封装层上沉积第一金属层；S400：在位于所述衬底的第二部分的上方的第一封装层上沉积第二金属层，其中所述第二金属层覆盖所述第一金属层的部分；S500：沉积第二封装层，其中所述第二封装层具有多个第二通孔，所述第二封装层的各第二通孔与所述第一封装层的各第一通孔一一对齐，所述第二封装层覆盖所述第二金属层的部分以及位于所述衬底的第二部分上方的第一金属层，并覆盖位于所述衬底的第一部分上方的第一金属层的部分；所述第二封装层由SU-82005光刻胶形成；S600：腐蚀掉所述牺牲层，并将所述衬底的第一部分切除。

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