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龙图腾网恭喜深圳天狼芯半导体有限公司申请的专利改善关断损耗的IGBT及其制备方法、芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486226B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510055673.5，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权改善关断损耗的IGBT及其制备方法、芯片是由原一帆设计研发完成，并于2025-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本改善关断损耗的IGBT及其制备方法、芯片在说明书摘要公布了：本申请属于功率器件技术领域，提供了一种改善关断损耗的IGBT及其制备方法、芯片，通过设置包括P型漂移区和N型漂移区的漂移区，并且，设置P型漂移区的垂直部与N型漂移区并列形成于N型缓冲层上，P型漂移区的水平部位于N型漂移区的上侧和或下侧，载流子存储层形成于漂移区上，使P型漂移区与N型漂移区形成的结构可以减小器件的有效掺杂浓度，具有更快的电场扩展速度，进而更快排出空穴，降低器件的关断损耗，解决了IGBT器件在抽取空穴时会影响关断速度、关断损耗以及导通电压的问题。

本发明授权改善关断损耗的IGBT及其制备方法、芯片在权利要求书中公布了：1.一种改善关断损耗的IGBT，其特征在于，包括：P型衬底、N型缓冲层，所述N型缓冲层形成于所述P型衬底的正面；漂移区，所述漂移区包括P型漂移区和N型漂移区，所述P型漂移区为L形结构，所述P型漂移区的垂直部与所述N型漂移区并列形成于所述N型缓冲层上，所述P型漂移区的水平部位于所述N型漂移区的下侧；载流子存储层，形成于所述漂移区上；P型基区，形成于所述载流子存储层上；N型掺杂区和P型掺杂区，形成于所述P型基区上；栅极介质层和栅极多晶硅层，所述栅极介质层形成于所述P型漂移区的垂直部上，且所述栅极介质层包裹所述栅极多晶硅层；集电极和发射极，所述发射极与所述N型掺杂区和所述P型掺杂区接触，所述集电极形成于所述P型衬底的背面；所述N型漂移区位于所述P型漂移区一侧，所述栅极多晶硅层位于所述P型漂移区的另一侧，所述N型漂移区的宽度与所述栅极多晶硅层的宽度的和大于所述P型漂移区的总宽度；所述N型漂移区与所述栅极多晶硅层在所述集电极向所述发射极的方向上的投影存在部分重叠。

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