恭喜三星电子株式会社崔允硕获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利半导体封装件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112397497B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010405998.9，技术领域涉及：H10B80/00；该发明授权半导体封装件是由崔允硕设计研发完成，并于2020-05-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装件在说明书摘要公布了：公开了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：第一半导体芯片；位于第一半导体芯片的第一表面上的第二半导体芯片；以及位于第一半导体芯片的第一表面上并且与第二半导体芯片的至少一侧相邻的多个导电柱。第一半导体芯片包括与第一半导体芯片的第一表面相邻的第一电路层。第二半导体芯片和多个导电柱连接到第一半导体芯片的第一表面。
本发明授权半导体封装件在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：基底；第一半导体芯片；多个第二半导体芯片，位于第一半导体芯片的第一表面上，并且彼此水平地间隔开；以及多个导电柱，位于第一半导体芯片的第一表面上，并且与所述多个第二半导体芯片中的每个的至少一侧相邻，其中，第一半导体芯片包括与第一半导体芯片的第一表面相邻的第一电路层，并且其中，所述多个第二半导体芯片和所述多个导电柱连接到第一半导体芯片的第一表面，其中，所述多个第二半导体芯片中的一个第二半导体芯片与基底间隔开并通过所述多个导电柱中的至少一个电连接到基底，并且在所述多个第二半导体芯片中的所述一个第二半导体芯片与基底之间不具有导电垫，其中，所述多个第二半导体芯片中的另一第二半导体芯片包括穿透所述多个第二半导体芯片中的所述另一第二半导体芯片的贯穿电极，并且通过贯穿电极电连接到基底。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道水原市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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