恭喜三星电子株式会社朴钟淏获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利半导体封装件及其制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112310064B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010431111.3,技术领域涉及:H10B80/00;该发明授权半导体封装件及其制造方法是由朴钟淏;金承焕;吴晙荣;高炅焕;金祥洙;张童柱设计研发完成,并于2020-05-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装件及其制造方法在说明书摘要公布了:一种半导体封装件包括:第一封装件;第二封装件,所述第二封装件位于所述第一封装件上,所述第二封装件包括第二封装基板、位于所述第二封装基板上的第一半导体芯片和第二半导体芯片以及位于所述第二封装基板上并覆盖所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片的第二模制部件;填充部件,所述填充部件位于所述第一封装件和所述第二封装件之间;第一通孔,所述第一通孔穿透所述第二封装基板,所述第一通孔位于所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片之间;第二通孔,所述第二通孔穿透所述第二模制部件,所述第二通孔连接到所述第一通孔,其中,所述填充部件具有设置在所述第一通孔和所述第二通孔中的延伸部。
本发明授权半导体封装件及其制造方法在权利要求书中公布了:1.一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:第一封装件;第二封装件,所述第二封装件位于所述第一封装件上,所述第二封装件包括第二封装基板、位于所述第二封装基板上的第一半导体芯片和第二半导体芯片以及位于所述第二封装基板上并覆盖所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片的第二模制部件;填充部件,所述填充部件位于所述第一封装件和所述第二封装件之间;第一通孔,所述第一通孔穿透所述第二封装基板,所述第一通孔位于所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片之间;和第二通孔,所述第二通孔穿透所述第二模制部件,所述第二通孔连接到所述第一通孔,并且其中,所述填充部件具有设置在所述第一通孔和所述第二通孔中的延伸部,其中,所述第一通孔的宽度大于所述第二通孔的宽度,并且所述第二模制部件的一部分延伸到所述第一通孔中并覆盖所述第一通孔的内壁,其中,在所述第一通孔中,所述延伸部与所述第一通孔的所述内壁间隔开,并且所述第二模制部件的所述一部分位于所述延伸部与所述第一通孔的所述内壁之间。
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