恭喜上海遨申电子科技有限公司单毅获国家专利权
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龙图腾网恭喜上海遨申电子科技有限公司申请的专利用于高电压容限电路的静电保护结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112038337B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010678844.7，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权用于高电压容限电路的静电保护结构是由单毅;徐文斐设计研发完成，并于2020-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于高电压容限电路的静电保护结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于高电压容限电路的静电保护结构，本发明在SCR的基础上增设共P阱第一NMOS管串和第二NMOS管串，构成了新型的静电保护结构，该静电保护结构触发电压Vt1较低，栅极不存在击穿风险，同时不存在闩锁问题。
本发明授权用于高电压容限电路的静电保护结构在权利要求书中公布了：1.用于高电压容限电路的静电保护结构，其特征在于：包括若干SCR和若干第二NMOS管串；所有SCR共阴极和共阳极，SCR内嵌有第一NMOS管串，第一NMOS管串的源极连接阴极，第一NMOS管串的漏极通过N阱连接阳极，第二NMOS管串的漏极连接阳极，第二NMOS管串的源极连接阴极，第一NMOS管串中最后一级NMOS管栅极连接阴极，第一NMOS管串中其余NMOS管栅极外接自身所能承受的控制电压，第二NMOS管串中最后一级NMOS管栅极通过电阻连接阴极，第二NMOS管串中其余NMOS管栅极外接自身所能承受的控制电压，所有SCR、第一NMOS管串的NMOS管和第二NMOS管串的NMOS管共P阱。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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