恭喜爱思开海力士有限公司金胜桓获国家专利权
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龙图腾网恭喜爱思开海力士有限公司申请的专利包括重分布层的半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113053848B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011079084.4，技术领域涉及：H01L23/498；该发明授权包括重分布层的半导体装置及其制造方法是由金胜桓;徐铉哲;崔亨硕;朴信映设计研发完成，并于2020-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括重分布层的半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：包括重分布层的半导体装置及其制造方法。一种半导体存储器装置包括：下部结构；重分布绝缘层，该重分布绝缘层设置在下部结构上方；重分布导电层，该重分布导电层设置在重分布绝缘层上方并电连接到下部结构的一部分，重分布导电层包括重分布焊盘；以及保护层，该保护层覆盖重分布绝缘层和重分布导电层，并且使重分布焊盘暴露。重分布导电层包括与重分布焊盘相邻设置的沟槽，并且保护层的一部分填充沟槽。
本发明授权包括重分布层的半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，该半导体装置包括：下部结构；重分布绝缘层，所述重分布绝缘层设置在所述下部结构上方；重分布导电层，所述重分布导电层设置在所述重分布绝缘层上方，并且电连接到所述下部结构的一部分，所述重分布导电层包括重分布焊盘；以及保护层，所述保护层覆盖所述重分布绝缘层和所述重分布导电层，并且使所述重分布焊盘暴露，其中，所述重分布导电层包括与所述重分布焊盘相邻设置的沟槽，其中，所述保护层的一部分填充所述沟槽，其中，所述重分布导电层包括焊盘部分和延伸部分，所述焊盘部分包括所述重分布焊盘，并且所述延伸部分从所述焊盘部分沿至少一个方向延伸，其中，所述沟槽设置在所述延伸部分中，并且其中，所述焊盘部分和所述延伸部分彼此物理连接和电连接。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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