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龙图腾网恭喜珠海市浩辰半导体有限公司申请的专利一种浮空结构与沟槽分立的沟槽栅IGBT器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112820772B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110153724.X，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权一种浮空结构与沟槽分立的沟槽栅IGBT器件是由王洪;林泳浩;李伟聪设计研发完成，并于2021-02-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种浮空结构与沟槽分立的沟槽栅IGBT器件在说明书摘要公布了：本发明公开一种浮空结构与沟槽分立的沟槽栅IGBT器件，包括：集电极金属；第一导电类型的集电区，位于集电极金属的上表面；第二导电类型的场截止层，位于第一导电类型的集电区的上表面；第二导电类型的漂移区，位于第二导电类型的场截止层的上表面；沟槽结构，位于第二导电类型的漂移区内；第一导电类型的浮空区，位于沟槽结构之间，且第一导电类型的浮空区与沟槽结构不相交叠；发射极金属，覆盖于整个器件的上方；所述第一导电类型的浮空区与发射极金属之间设有隔离介质层。本发明提高了IGBT在开通过程中的dvdt控制能力，降低了开关过程中的EMI干扰，同时可以兼顾提高IGBT的器件耐压。

本发明授权一种浮空结构与沟槽分立的沟槽栅IGBT器件在权利要求书中公布了：1.一种浮空结构与沟槽分立的沟槽栅IGBT器件，其特征在于，包括：集电极金属；第一导电类型的集电区，位于集电极金属的上表面；第二导电类型的场截止层，位于第一导电类型的集电区的上表面；第二导电类型的漂移区，位于第二导电类型的场截止层的上表面；沟槽结构，位于第二导电类型的漂移区内，且沿第二导电类型的漂移区的厚度方向延伸；所述沟槽结构包括沟槽，以及位于沟槽内的宽部、窄部，且宽部位于窄部下方；第一导电类型的浮空区，位于沟槽结构之间，且第一导电类型的浮空区与沟槽结构不相交叠；所述宽部与第一导电类型的浮空区的最小间距小于窄部与第一导电类型的浮空区的最小间距；发射极金属，覆盖于整个器件的上方；所述第一导电类型的浮空区与发射极金属之间设有隔离介质层；所述沟槽结构呈倒T型构造，宽部位于倒T型的横端，窄部位于倒T型的竖端；所述宽部包括宽部电极，以及填充于宽部电极与沟槽内壁之间的宽部介质；所述窄部包括窄部电极，以及填充于窄部电极与沟槽内侧壁之间的窄部介质；所述宽部电极与窄部电极相连。

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