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龙图腾网恭喜福建飞毛腿动力科技有限公司申请的专利一种多种保护的DCDC使能电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113300329B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110620511.3，技术领域涉及：H02H7/12；该发明授权一种多种保护的DCDC使能电路是由吴智声;杨庆宏;邓通杭设计研发完成，并于2021-06-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多种保护的DCDC使能电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多种保护的DCDC使能电路，包括欠压关闭电路、过压钳位电路、DCDC打开电路、短路保护触发电路、DCDC模块、充电开关电路、单片机MCU、输入Vin、3.3V电源，本发明具备深度欠压关闭和短路保护功能，深度欠压具有低功耗的优点；本发明具备过压钳位功能；本发明具备输入短路保护功能和MCU告警功能，本发明使用了高端的MOS管Q5、MOS管Q6进行开关和快速充放电的实现，内阻小，过电流能力大，所以承受的应力大，不容易损坏，当MOS管Q5损坏,MOS管Q6也能保持功能。驱动采用光耦隔离使能，大大提高了安全性。

本发明授权一种多种保护的DCDC使能电路在权利要求书中公布了：1.一种多种保护的DCDC使能电路，其特征在于，包括欠压关闭电路1、过压钳位电路2、DCDC打开电路3、短路保护触发电路4、DCDC模块5、充电开关电路6、单片机MCU8、输入Vin7、3.3V电源9，所述欠压关闭电路1、过压钳位电路2、DCDC打开电路3、短路保护触发电路4、DCDC模块5都与充电开关电路6连接，所述欠压关闭电路1、短路保护触发电路4、过压钳位电路2都连接DCDC打开电路3，所述短路保护触发电路4连接DCDC模块5，所述DCDC打开电路3、DCDC模块5都连接单片机MCU8，所述充电开关电路6连接输入Vin7，所述欠压关闭电路1、DCDC打开电路3都连接3.3V电源9；所述欠压关闭电路1包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、三极管Q1、MOS管Q2，所述电阻R1的一端连接充电开关电路6，所述电阻R1的另一端通过电阻R2连接电阻R3的一端，所述电阻R3的另一端连接地信号GND，所述电阻R3的一端连接三极管Q1的基极，所述三极管Q1的发射极连接地信号GND，所述三极管Q1的集电极通过电阻R4连接3.3V电源9，所述MOS管Q2的G极连接三极管Q1的集电极，所述MOS管Q2的S极连接地信号GND，所述MOS管Q2的G极连接DCDC打开电路3；所述过压钳位电路2包括电阻R8、稳压二极管ZD1、稳压二极管ZD2，所述电阻R8的一端连接充电开关电路6，所述电阻R8的另一端连接DCDC打开电路3，所述电阻R8的另一端通过稳压二极管ZD1连接稳压二极管ZD2的负极，所述稳压二极管ZD2的正极连接地信号GND；所述DCDC打开电路3包括光耦G1、电阻R5、电阻R6、电阻R7、三极管Q3，所述光耦G1的2管脚连接地信号GND，所述光耦G1的1管脚连接欠压关闭电路1，所述光耦G1的4管脚连接过压钳位电路2，所述光耦G1的3管脚连接充电开关电路6，所述光耦G1的1管脚通过电阻R6连接电阻R7的一端，所述电阻R7的一端连接短路保护触发电路4，所述电阻R7的另一端连接三极管Q3的集电极，所述三极管Q3的发射极连接3.3V电源9，所述三极管Q3的基极通过电阻R5连接单片机MCU8，所述电阻R7的一端连接单片机MCU8；所述短路保护触发电路4包括三极管Q4、二极管D2、电阻R12，所述三极管Q4的集电极连接DCDC模块5和充电开关电路6，所述三极管Q4的发射极连接DCDC打开电路3，所述三极管Q4的基极通过二极管D2连接电阻R12的一端，所述电阻R12的另一端连接三极管Q4的集电极；所述充电开关电路6包括二极管D1、二极管D3、二极管D5、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R14、稳压二极管ZD3、三极管Q7、MOS管Q5、MOS管Q6、大电容C1、大电容C4，所述二极管D1的正极连接输入Vin7，所述二极管D1的负极连接欠压关闭电路1，所述二极管D1的负极通过二极管D3连接三极管Q7的集电极，所述三极管Q7的集电极连接过压钳位电路2，所述三极管Q7的集电极通过二极管D5连接三极管Q7的基极，所述三极管Q7的发射极通过电阻R14连接大电容C1的一端，所述大电容C1的另一端通过大电容C4连接地信号GND，所述三极管Q7的发射极连接MOS管Q6的D极，所述MOS管Q6的G极连接电阻R9的一端，所述电阻R9的另一端连接DCDC打开电路3，所述MOS管Q6的S极连接MOS管Q5的D极，所述MOS管Q5的S极连接短路保护触发电路4和DCDC模块5，所述MOS管Q5的G极通过电阻R10连接电阻R9的一端，所述MOS管Q5的G极通过稳压二极管ZD3连接MOS管Q5的S极，所述电阻R11与稳压二极管ZD3相并联，所述三极管Q7为NPN三极管，所述MOS管Q5、MOS管Q6都为N沟道MOS管。

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