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龙图腾网恭喜中国科学院电工研究所申请的专利基于引导等电位线的高压隔离平板变压器及其优化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114188135B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111531862.3，技术领域涉及：H01F27/34；该发明授权基于引导等电位线的高压隔离平板变压器及其优化方法是由曹国恩;王一波设计研发完成，并于2021-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于引导等电位线的高压隔离平板变压器及其优化方法在说明书摘要公布了：本发明属于平板变压器技术领域，具体涉及了一种基于引导等电位线的高压隔离平板变压器及其优化方法，旨在解决传统变压器体积大、重量大、功率密度低、绝缘设计复杂、可靠性差，而现有平板变压器耐压水平低的问题。本发明包括：磁芯贯通低压绕组和高压绕组，构成闭合磁路；高压绕组，平行设置于磁芯上，高压绕组的位置重合且通过盲孔连接；低压绕组，平行设置于磁芯上的高压绕组上侧和下侧，低压绕组位置重合且通过过孔连接；电场控制单元，平行间隔设置于高压绕组与低压绕组之间引导高压绕组与低压绕组之间的电位线。本发明电场分布均匀、空气中的电场强度小、减少局部放电、体积小、功率密度大、结构简单、参数一致性好、成本低。

本发明授权基于引导等电位线的高压隔离平板变压器及其优化方法在权利要求书中公布了：1.一种基于引导等电位线的高压隔离平板变压器，其特征在于，所述变压器基于电路板构建，包括低压绕组、高压绕组、绝缘介质、磁芯和电场控制单元；所述磁芯，贯通低压绕组和高压绕组，构成闭合磁路；所述高压绕组，平行设置于磁芯上，高压绕组的位置重合且通过盲孔连接；所述低压绕组，平行设置于磁芯上的高压绕组上侧和下侧，且与高压绕组平行，低压绕组位置重合且通过过孔连接；所述高压绕组，相较于低压绕组多出延长出线端部分；高压绕组与低压绕组之间设置n个电场控制铜箔，第1电场控制铜箔与低压绕组相邻，第n个电场控制铜箔与高压绕组相邻；所述电场控制铜箔，均带有延长出线端，第k个电场控制铜箔延长出线端与第k-1个电场控制铜箔延长出线端部分交叠，第k个电场控制铜箔向高压绕组延长出线端延伸预设的铜箔错开距离；所述绝缘介质，设置于所有高压绕组之间、低压绕组之间和高压绕组与低压绕组之间；所述电场控制单元，平行间隔设置于高压绕组与低压绕组之间；所述基于引导等电位线的高压隔离平板变压器通过基于引导等电位线的高压隔离变压器优化方法获得，所述基于引导等电位线的高压隔离变压器优化方法包括：步骤S100，基于击穿场强、介电常数、损耗因子选取基板材料和介质厚度；选取PCB作为基板材料；步骤S200，基于高压隔离平板变压器的原副边的隔离电压工况和所述基板材料各点的最大电场设计强度和空气最大电场设计强度，并确定PCB尺寸边界条件，作为电场控制单元优化的设计阈值；步骤S300，根据原副边工作电压、电流和功率，确定高压绕组和低压绕组的层叠方式和高压绕组和低压绕组的匝数；所述层叠方式包括交错层叠、三明治法层叠；步骤S400，设定电场控制铜箔初始层数和铜箔间错开距离，基于所述层叠方式和基板材料参数，通过计算、仿真或测试的方法计算基板材料中各点的电场强度和空气中的电场强度；步骤S500，判断所述基板材料中各点的电场强度和空气中的电场强度是否大于所述电场控制单元优化的设计阈值且电场分布均匀；步骤S600，若步骤S500中存在判断结果为大于或电场分布不均匀的情况，则重复步骤S300-步骤S500的方法调整高压绕组和低压绕组的层叠方式、铜箔初始层数和铜箔间错开距离，直至所述基板材料中各点的电场强度和空气中的电场强度小于或等于电场控制单元优化的设计阈值且电场分布均匀，确定PCB的整体尺寸、基板材料、介质厚度、层叠方式、铜箔层数、铜箔间错开距离；步骤S700，若所述PCB的整体尺寸超出所述PCB尺寸边界条件，重复步骤S300-步骤S600的方法直至PCB绕组的尺寸满足设定的PCB尺寸边界条件，获得变压器的高压绝缘设计参数；步骤S800，依据所述高压绝缘设计参数制作高压隔离平板变压器，并在所述原副边的隔离电压工况下进行工作。

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