恭喜西安芯辉光电科技有限公司胡进获国家专利权
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龙图腾网恭喜西安芯辉光电科技有限公司申请的专利一种基于硅光电倍增管的多事件处理电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114624681B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111678662.0,技术领域涉及:G01S7/4865;该发明授权一种基于硅光电倍增管的多事件处理电路是由胡进;马家骥;王夏宇;李栋设计研发完成,并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于硅光电倍增管的多事件处理电路在说明书摘要公布了:本发明公开了一种基于硅光电倍增管的多事件处理电路,包括:事件滤除电路,连接SiPM阵列,用于滤除掉SiPM阵列输出的部分光子事件数据流;相关性检测电路,连接SiPM阵列,用于在时间窗口内,检测事件的个数是否达到阈值,若是,则触发使能产生电路;使能产生电路,通过二输入与门Y1连接事件滤除电路和相关性检测电路,用于将事件滤除电路进行滤除后剩余的光子事件数据流转化为使能信号以供TDC量化;多事件TDC,连接使能产生电路,用于在使能产生电路触发时,量化光子事件之间的时间间隔。本发明的多事件方案仅需要特定的逻辑电路以交替使能多事件TDC即可进行时间量化,在同类时空相关等技术中具有更紧凑的片上结构和更高的适配性及兼容性。
本发明授权一种基于硅光电倍增管的多事件处理电路在权利要求书中公布了:1.一种基于硅光电倍增管的多事件处理电路,其特征在于,所述多事件处理电路包括:事件滤除电路,连接SiPM阵列,用于滤除掉所述SiPM阵列输出的部分光子事件数据流;相关性检测电路,通过开关S1连接所述SiPM阵列,用于在时间窗口内,检测事件的个数是否达到阈值,若是,则触发使能产生电路,若否,则不触发所述使能产生电路;使能产生电路,通过二输入与门Y1连接所述事件滤除电路和所述相关性检测电路,用于将所述事件滤除电路进行滤除后剩余的光子事件数据流转化为使能信号以供TDC量化;其中,所述使能产生电路包括单事件使能模块和多事件使能模块,其中,所述单事件使能模块的输入端通过开关S2连接所述二输入与门Y1的输出端,所述多事件使能模块的输入端通过开关S3连接所述二输入与门Y1的输出端,所述单事件使能模块和所述多事件使能模块的输出端连接多事件TDC;所述多事件TDC,用于在所述使能产生电路触发时,量化光子事件之间的时间间隔。
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