恭喜中芯集成电路(宁波)有限公司韩凤芹获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯集成电路(宁波)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114348955B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111672677.6，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权半导体结构及其形成方法是由韩凤芹;李萍;桂珞设计研发完成，并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请公开一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供基底，基底表面形成有导电区；在导电区上形成第一介质层，第一介质层至少暴露出导电区的部分表面；在第一介质层的表面形成第一导电层，且第一导电层保形覆盖所述第一介质层，还覆盖暴露的导电区表面；在基底上形成第二介质层，第二介质层覆盖所述基底和第一导电层除顶部表面的其他表面，且第二介质层表面与第一导电层的顶部表面齐平；在第二介质层上形成第二导电层，第二导电层至少覆盖第一导电层的部分顶部表面。其可以降低后续各项工艺难度；第二导电层的整个顶部表面作为后续互连面积，使互连面积得到增大，相应半导体结构的互连能力得到提升。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，所述形成方法包括：提供基底，所述基底表面形成有导电区；在所述导电区上形成第一介质层，所述第一介质层至少暴露出所述导电区的部分表面；在所述第一介质层的表面形成第一导电层，且所述第一导电层保形覆盖所述第一介质层，还覆盖暴露的导电区表面；在所述基底上形成第二介质层，所述第二介质层覆盖所述基底和所述第一导电层除顶部表面的其他表面，且所述第二介质层表面与所述第一导电层的顶部表面齐平；在所述第二介质层上形成第二导电层，所述第二导电层至少覆盖所述第一导电层的部分顶部表面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯集成电路(宁波)有限公司，其通讯地址为：315800 浙江省宁波市北仑区小港街道安居路335号3幢、4幢、5幢；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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