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龙图腾网恭喜扬州乾照光电有限公司申请的专利一种LED芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114530533B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210162936.9，技术领域涉及：H10H20/814；该发明授权一种LED芯片及其制备方法是由伏兵;李晓静;赵鹏;马英杰;蔡和勋设计研发完成，并于2022-02-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种LED芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种LED芯片及其制备方法，将第二电极遮挡区域的至少欧姆接触层和部分第一型半导体层组成的叠层被至少部分刻蚀掉，形成凹槽，从而至少能够减少电流从第二电极遮挡区域的欧姆接触层和部分第一型半导体层流入第二电极遮挡区域的有源层中，即减少电流横向扩展到第二电极遮挡区域的有源层中，进而减少第二电极遮挡区域的有源层发光，实现减小产热，降低结温，提高LED芯片的电光转换效率的目的，同时也可以使得电流更多地扩展到没有被第二电极遮挡的有源层中，进一步提高LED芯片的电光转换效率。

本发明授权一种LED芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种LED芯片，其特征在于，包括：第一衬底；位于所述第一衬底表面依次排布的键合层和叠层结构，所述叠层结构包括沿背离所述第一衬底的方向依次排布的全方位反射镜层、第一型半导体层、有源层和第二型半导体层，所述全方位反射镜层包括沿背离所述第一衬底的方向依次排布的镜面层、介质层和欧姆接触层，所述介质层中设置有多个开孔，使得所述镜面层填充所述多个开孔与所述欧姆接触层形成欧姆接触；位于所述第一衬底背离所述叠层结构一侧的第一电极和位于所述叠层结构背离所述第一衬底一侧的第二电极；以及凹槽，所述凹槽在所述第一衬底表面的投影和所述第二电极在所述第一衬底表面的投影至少部分交叠，所述凹槽贯穿所述欧姆接触层和至少部分所述第一型半导体层组成的叠层，且所述凹槽不深入所述有源层，所述介质层、所述镜面层和所述键合层组成的叠层填充所述凹槽；所述介质层中的所述多个开孔在所述第一衬底表面的投影与所述凹槽在所述第一衬底表面的投影不交叠，所述介质层中的所述多个开孔在所述第一衬底表面的投影与所述第二电极在所述第一衬底表面的投影不交叠。

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