恭喜三星电子株式会社尹世元获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利其中具有增强的擦除控制电路的非易失性存储器器件获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN110619913B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201910509505.3,技术领域涉及:G11C16/14;该发明授权其中具有增强的擦除控制电路的非易失性存储器器件是由尹世元;金真怜;朴一汉;徐贤;任琫淳设计研发完成,并于2019-06-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本其中具有增强的擦除控制电路的非易失性存储器器件在说明书摘要公布了:提供了其中具有增强的擦除控制电路的非易失性存储器器件。一种存储器器件包括在下层衬底上的非易失性存储器单元的垂直NAND串阵列。提供了一种擦除控制电路,其被配置为在擦除垂直NAND串阵列中的非易失性存储器单元的操作期间用具有不相等幅度的相应擦除电压驱动电耦合到非易失性存储器单元的垂直NAND串阵列的多条位线。这种擦除控制电路还可以被配置为在擦除垂直NAND串阵列中的非易失性存储器单元的操作期间用第一擦除电压驱动所述多条位线中的第一位线达第一持续时间,并且用第二擦除电压驱动所述多条位线中的第二位线达与所述第一持续时间不相等的第二持续时间。
本发明授权其中具有增强的擦除控制电路的非易失性存储器器件在权利要求书中公布了:1.一种存储器器件,包括:非易失性存储器单元阵列,具有在第一方向上彼此隔开并且在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸的多个组;至少一条第一位线,电耦合到所述多个组的非易失性存储器单元中的第一组,并且在所述第二方向上延伸;至少一条第二位线,电耦合到所述多个组的非易失性存储器单元中的第二组,并且在所述第二方向上延伸;和擦除控制电路,被配置为在分别擦除所述多个组的非易失性存储器单元中的第一组和所述多个组的非易失性存储器单元中的第二组的操作期间,用时间上至少部分重叠的、不相等的第一擦除电压和第二擦除电压驱动所述至少一条第一位线和所述至少一条第二位线。
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