买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜株式会社半导体能源研究所申请的专利显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114185216B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210029672.X，技术领域涉及：G02F1/1368；该发明授权显示装置是由三宅博之;兼安诚设计研发完成，并于2016-02-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本显示装置在说明书摘要公布了：本发明的目的是提供可以降低布线之间的寄生电容的显示装置、显示品质高的显示装置以及可以降低功耗的显示装置。本发明的显示装置包括：信号线；扫描线；第一电极；第二电极；第三电极；第一像素电极；第二像素电极；以及半导体膜，其中，信号线与扫描线交叉，第一电极与信号线电连接，第一电极包括与扫描线重叠的区域，第二电极与第一电极对置，第三电极与第一电极对置，第一像素电极与第二电极电连接，第二像素电极与第三电极电连接，半导体膜与第一电极、第二电极及第三电极接触，并且，半导体膜设置在扫描线与第一电极至第三电极之间。

本发明授权显示装置在权利要求书中公布了：1.一种显示装置，包括：像素，所述像素包括：第一晶体管；第二晶体管；与所述第一晶体管电连接的第一像素电极；与所述第二晶体管电连接的第二像素电极；第一电容元件；以及第二电容元件；扫描线，设置在衬底上并且与所述衬底接触，所述扫描线具有用作所述第一晶体管的栅电极的区域和用作所述第二晶体管的栅电极的区域；第一导电层，设置在所述衬底上并且与所述衬底接触，所述第一导电层具有用作所述第一电容元件的一个电极的区域；第一绝缘膜，具有与所述扫描线的顶面接触的区域和与所述第一导电层的顶面接触的区域；岛状半导体膜，隔着所述第一绝缘膜设置在所述扫描线上，所述岛状半导体膜包括所述第一晶体管的沟道形成区域和所述第二晶体管的沟道形成区域；信号线，具有用作所述第一晶体管的源电极和漏电极中的一个的区域和用作所述第二晶体管的源电极和漏电极中的一个的区域；第二导电层，具有用作所述第一晶体管的所述源电极和所述漏电极中的另一个的区域和用作所述第一电容元件的另一个电极的区域；以及第三导电层，具有与所述扫描线重叠的区域，其中，所述第二导电层经由第一开口在与所述第一导电层重叠的区域与所述第一像素电极电连接，其中，所述信号线具有在第一方向上延伸的区域，其中，所述第三导电层具有在所述第一方向上延伸的区域，其中，所述第三导电层经由第二开口与所述第一导电层电连接，并且其中，在所述像素的俯视方向上，所述第一开口的面积大于所述第二开口的面积。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社半导体能源研究所，其通讯地址为：日本神奈川；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。