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龙图腾网恭喜西安交通大学申请的专利n型掺杂金刚石场板结构的场效应晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109768081B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910074808.7，技术领域涉及：H10D64/00；该发明授权n型掺杂金刚石场板结构的场效应晶体管是由王宏兴;王艳丰;常晓慧;王玮;宋王振;赵丹;刘璋成;王若铮;侯洵设计研发完成，并于2019-01-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本n型掺杂金刚石场板结构的场效应晶体管在说明书摘要公布了：本发明公开了n型掺杂金刚石场板结构的场效应晶体管，包括金刚石衬底，金刚石衬底上铺设有由n型掺杂单晶金刚石外延薄膜形成的台面，台面上沉积有两个条形的介质层，沿各介质层和台面的外沿分别铺设有漏极和源极，在两个介质层之间铺设有栅极，介质层、漏极、源极和栅极形成场板结构，源极、漏极和栅极上分别沉积有源引出电极、漏引出电极和栅引出电极，源引出电极、漏引出电极和栅引出电极之间通过钝化层相互完全分隔；本发明在金刚石MESFET的源栅漏电极边缘引入场板结构，有效的降低了电场集中效应，增大了器件的耐压特性，有效减弱器件源、栅、漏边缘的电场集中现象，提高了器件击穿电压性能。

本发明授权n型掺杂金刚石场板结构的场效应晶体管在权利要求书中公布了：1.n型掺杂金刚石场板结构的场效应晶体管，其特征在于，包括金刚石衬底（1），所述金刚石衬底（1）上铺设有由n型掺杂单晶金刚石外延薄膜（2）形成的台面（3），所述台面（3）上沉积有两个条形的介质层（4），沿各所述介质层（4）和台面（3）的外沿分别铺设有漏极（6）和源极（5），在两个所述介质层（4）之间铺设有栅极（7），所述介质层（4）、漏极（6）、源极（5）和栅极（7）形成场板结构，所述源极（5）、漏极（6）和栅极（7）上分别沉积有源引出电极（9）、漏引出电极（10）和栅引出电极（11），所述源引出电极（9）、漏引出电极（10）和栅引出电极（11）之间通过钝化层（8）相互完全分隔；两个所述介质层（4）的短边外沿均超出所述台面（3）的外沿，或与台面（3）的外沿平齐；所述栅极（7）覆盖部分的介质层（4）和部分的台面（3），所述栅极（7）的短边外沿超出所述台面（3）的外沿，或与台面（3）的外沿平齐；所述栅极（7）与台面（3）为肖特基接触；所述源极（5）和漏极（6）的剖面均成L形，所述L形的一部分为直接覆盖在金刚石衬底（1）上、且所述L形的另一部分覆盖在介质层（4）和部分的台面（3）上；所述源极（5）和漏极（6）的短边外沿均超出所述台面（3）的外沿，或与台面（3）的外沿平齐。

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