恭喜台湾积体电路制造股份有限公司郑心圃获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利封装结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112466861B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010935246.3，技术领域涉及：H10D80/30；该发明授权封装结构及其形成方法是由郑心圃;许峯诚;陈硕懋设计研发完成，并于2020-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本封装结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开一些实施例提供一种封装结构及其形成方法。封装结构包括封装基板、位于封装基板上方的中介层基板以及位于中介层基板上方的多个半导体装置。中介层基板还具有一或多个凹槽，以收容或容纳不被允许安装在中介层基板表面上的附加的半导体装置。凹槽使得整体封装结构更薄。一些收容在中介层基板的凹槽中的半导体装置也可以电连接到中介层基板及或中介层基板上方的半导体装置，以改善整体封装结构的电性能。
本发明授权封装结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种封装结构，包括：一封装基板；一中介层基板，设置在该封装基板上方，其中，该中介层基板包括一硅基板，并且具有面向和邻近该封装基板的一底表面以及形成在该底表面上的一第一凹槽；一第一半导体装置，收容在该第一凹槽中，并且电连接到该中介层基板；以及一第二半导体装置，设置在该中介层基板的相反于该底表面的一顶表面上，其中，该封装基板具有面向和邻近该中介层基板的一顶表面，以及一第二凹槽形成在该封装基板的该顶表面上，并且对准于该中介层基板的该第一凹槽，其中该第二凹槽配置以容纳该第一半导体装置。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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