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龙图腾网恭喜西安理工大学申请的专利具有沟槽-平面柵的发射极开关晶闸管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114628507B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210241564.9，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权具有沟槽-平面柵的发射极开关晶闸管及其制造方法是由王彩琳;杨武华;郭佳睿;张超;苏乐设计研发完成，并于2022-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有沟槽-平面柵的发射极开关晶闸管及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有沟槽‑平面柵的发射极开关晶闸管，以n‑漂移区作为衬底，n‑漂移区上方设有交叠的左、右侧p基区，左、右侧p基区中各设有n+浮置区及n+阴极区；左侧p基区的左侧设有沟槽，该沟槽底部低于p基区底部，形成沟槽柵极；p基区相互交叠区及n+阴极区部分上表面设有平面柵极；沟槽栅极与平面栅极相连构成栅极G；左、右两侧p基区内设置有p++层；n+阴极区右侧部分和右侧p基区部分上表面设有铝金属化阴极K；n‑漂移区下表面依次设有n缓冲层、p+阳极区、金属化阳极A。本发明还公开了该种发射极开关晶闸管的制备方法。本发明的器件，转折电压低、导通损耗低、最大可关断电流高，制作简单。

本发明授权具有沟槽-平面柵的发射极开关晶闸管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种具有沟槽-平面柵的发射极开关晶闸管，其特征在于：以n-漂移区作为衬底，在n-漂移区上方设置有相互交叠的左、右两侧p基区，左侧p基区中设置有n+浮置区，右侧p基区中设置有n+阴极区；在左侧p基区的左侧设置有一个沟槽，该沟槽底部低于p基区底部，该沟槽内填充有柵氧化层和重掺杂的多晶硅，形成沟槽柵极；在p基区相互交叠区及n+阴极区左侧部分上表面共同设置有柵氧化层和重掺杂的多晶硅，形成平面柵极；沟槽栅极与平面栅极相连构成栅极G；在相互交叠的左、右两侧p基区内设置有p++层，p++层的左侧水平位置与平面栅极左侧对齐，p++层的顶部与n+阴极区的底部相接；n+阴极区右侧部分和右侧p基区部分上表面共同设置有铝金属化阴极K；n-漂移区下表面设置有n缓冲层，n缓冲层下表面设置有p+阳极区，p+阳极区下表面设置有多层的金属化阳极A。

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