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龙图腾网恭喜南京大学申请的专利基于Mxene-AlInGaN异质结的自驱动紫外光探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115692538B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211400883.6，技术领域涉及：H10F30/222；该发明授权基于Mxene-AlInGaN异质结的自驱动紫外光探测器及其制备方法是由刘斌;丁宇;庄喆设计研发完成，并于2022-11-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于Mxene-AlInGaN异质结的自驱动紫外光探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于Mxene‑铝铟镓氮异质结的自驱动紫外光探测器及其制备方法，其衬底材料为蓝宝石基片上外延生长的AlInGaN半导体，探测器表面分别为金属电极、Mxene薄层和测试电极，其中Mxene与AlInGaN构成异质结。Mxene和AlInGaN的功函数差使得异质结界面处产生肖特基势垒，可在零偏压下分离光生电子空穴对，输出光电流，即探测器具备自驱动功能。Mxene薄层具有良好的紫外透光性，能够扩大器件的感光面积，同时探测器的负极退火后与AlInGaN形成欧姆接触，可快速收集电子，提高探测器的工作效率。本发明还提供了Mxene‑AlInGaN异质结的激光剥离转移方法，可进一步制得柔性自驱动紫外光探测器。

本发明授权基于Mxene-AlInGaN异质结的自驱动紫外光探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于Mxene-GaN异质结的自驱动紫外光探测器，其特征在于，包括：衬底，为AlInGaN外延层晶片，自下而上分别为缓冲层u-AlInGaN、电流扩展层n-AlInGaN和非掺杂u-AlInGaN层；在所述衬底的部分区域，通过刻蚀至电流扩展层形成第一区域，未刻蚀的区域形成第二区域；金属负电极，位于第一区域，通过在该第一区域表面蒸镀金属形成；正电极，位于第二区域，由Mxene材料沉积于第二区域的预定位置形成；所述电流扩展层中n-AlInGaN的厚度为0.1~10.0μm，电子浓度为1*17cm-3~1*20cm-3；所述非掺杂u-AlInGaN的厚度为0.01~1μm，电子浓度为1*16cm-3~1*17cm-3；所述AlInGaN外延层晶片中，AlInGaN材料的组分为AlxInyGa（1-x-y）N；其中，0x0.7，0y0.3；采用激光剥离方法，将缓冲层u-AlInGaN与蓝宝石基片分离，利用UV胶带把探测器转移到涂有粘合剂的柔性背板上。

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