恭喜湖北兴福电子材料股份有限公司彭浩获国家专利权
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龙图腾网恭喜湖北兴福电子材料股份有限公司申请的专利一种相对于叠层金属侧蚀可控的W蚀刻液及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116334626B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211669852.0，技术领域涉及：C23F1/26；该发明授权一种相对于叠层金属侧蚀可控的W蚀刻液及其制备方法是由彭浩;尹印;万杨阳;贺兆波;张庭;王亮;余迪;叶瑞设计研发完成，并于2022-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种相对于叠层金属侧蚀可控的W蚀刻液及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种相对于叠层金属侧蚀可控的W层蚀刻液及其制备方法。其组成包括氧化剂、助氧剂、缓冲试剂、抑制剂、表面活性剂和超纯水。该蚀刻液利用氧化剂将W被氧化形成氧化物而被蚀刻；无机酸作为次氧化剂；醋酸铵等缓冲试剂为蚀刻液提供了稳定的蚀刻环境；抑制剂可以抑制铝离子和铜离子对W蚀刻的影响；表面活性剂可以降低溶液表面张力，促进W蚀刻的均匀性和完整性。本发明提供了一种相对于叠层金属侧蚀可控的W蚀刻液及其制备方法，按照方法使用该蚀刻液不仅能有效控制叠层金属中W层被蚀刻，还可实现W的蚀刻精度高和蚀刻形貌好等优良品质，并且保证TiN和Ti层金属未被蚀刻，AlCu具有极低蚀刻速率。
本发明授权一种相对于叠层金属侧蚀可控的W蚀刻液及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种相对于叠层金属侧蚀可控的W层蚀刻液，其特征在于，蚀刻液成分包括：7~11wt%的氧化剂双氧水；助氧剂醋酸49~55wt%；缓冲试剂醋酸铵18~25wt%；抑制剂0.05~1wt%；表面活性剂0.01~0.3wt%，其余的水，所述的抑制剂为N-甲基哌啶、N-酰基氨基酸中的至少一种，所述的表面活性剂为十二烷基硫酸三乙醇铵、月桂醇醚琥珀酸酯磺酸二钠、椰油酰胺丙基甜菜碱、椰子油单乙醇酰胺和椰子油脂肪酸二乙醇酰胺中的至少一种。
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