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龙图腾网恭喜艾托姆(北京)汽车零部件有限公司申请的专利一种压阻式双轴运动传感器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110002395B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910286325.3，技术领域涉及：B81B7/00；该发明授权一种压阻式双轴运动传感器及其制作方法是由辛胜男;陈浩设计研发完成，并于2019-04-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种压阻式双轴运动传感器及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种压阻式双轴运动传感器及其制作方法，该压阻式双轴运动传感器包括SOI硅片，包括第一单晶硅层、第一氧化硅层和第二单晶硅层；第一刻蚀槽和第二刻蚀槽，形成于第二单晶硅层靠近第一氧化硅层的一侧；质量块，形成于第二单晶硅层上，且形成于第一刻蚀槽和第二刻蚀槽之间；掺杂层，形成于第二单晶硅层背离第一氧化硅层的一侧；第二氧化硅层，形成于第二单晶硅层和掺杂层上；焊接层，形成第二单晶硅层和掺杂层上，且形成于第二氧化硅层中；隔离槽，形成于第二刻蚀槽远离质量块的一侧；其中隔离槽与质量块、第一刻蚀槽、第二刻蚀槽同时形成。通过上述方式，能够降低封装引起的残余应力和温度系数。

本发明授权一种压阻式双轴运动传感器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种压阻式双轴运动传感器，其特征在于，所述压阻式双轴运动传感器包括：SOI硅片，包括第一单晶硅层、第一氧化硅层和第二单晶硅层，所述第一氧化硅层设置于所述第一单晶硅层和所述第二单晶硅层之间；第一刻蚀槽和第二刻蚀槽，形成于所述第二单晶硅层靠近所述第一氧化硅层的一侧；质量块，形成于所述第二单晶硅层上，且形成于所述第一刻蚀槽和所述第二刻蚀槽之间；掺杂层，形成于所述第二单晶硅层背离所述第一氧化硅层的一侧；第二氧化硅层，形成于所述第二单晶硅层和所述掺杂层上；焊接层，形成所述第二单晶硅层和所述掺杂层上，且形成于所述第二氧化硅层中；隔离槽，形成于所述第二刻蚀槽远离所述质量块的一侧；其中所述隔离槽与所述质量块、所述第一刻蚀槽、所述第二刻蚀槽同时形成；所述压阻式双轴运动传感器还包括：第一悬臂梁和第二悬臂梁，形成于所述质量块的两侧，所述第一悬臂梁与所述第一刻蚀槽相匹配，所述第二悬臂梁与所述第二刻蚀槽相匹配；所述掺杂层还设置于所述第一悬臂梁远离所述质量块的一侧；第一盖板，所述第一盖板键合封装于所述第一单晶硅层背离所述第一氧化硅层的一侧；第二盖板，所述第二盖板键合封装于所述第二氧化硅层背离所述第二单晶硅层的一侧；所述焊接层进一步裸露于所述第二盖板的一端。

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