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龙图腾网恭喜上海先方半导体有限公司申请的专利一种扇出形多芯片封装结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110444535B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910689430.1，技术领域涉及：H10D80/30；该发明授权一种扇出形多芯片封装结构及其制备方法是由李恒甫;曹立强设计研发完成，并于2019-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种扇出形多芯片封装结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及芯片封装领域，具体涉及一种扇出形多芯片封装结构及其制备方法，扇出形多芯片封装结构包括：重布线层；第一芯片；导电柱，其一端与重布线层相连接，另一端与第一芯片相连接；第二芯片，第二芯片设置在第一芯片上且与第一芯片电连接，第二芯片位于重布线层与第一芯片之间，以及，封装层，设置在重布线层上，用于将第一芯片、导电柱以及第二芯片进行塑封。通过设置导电柱，并将第一芯片安装在导电柱上，从而使得第一芯片具有一定的高度，再通过将第二芯片直接设置在第一芯片上，从而实现第一芯片与第二芯片之间的互连，这样设置，在一个封装体内即实现了两个芯片之间的互连，减少了封装体的个数，从而可以减小多芯片封装体的厚度。

本发明授权一种扇出形多芯片封装结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种扇出形多芯片封装结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供载片10；在所述载片上形成绝缘层；在所述绝缘层上依次铺设重布线层1、导电柱3；在所述重布线层上铺设第三芯片（7）；形成第一封装层（501），所述第一封装层501用于将所述第三芯片7以及部分导电柱3进行塑封；通过化学腐蚀或UV光照的工艺对所述第一封装层（501）进行处理，使得所述第一封装层（501）能够实现平坦化并且降低所述第一封装层（501）的高度，使得所述第一封装层（501）的表面与所述第三芯片（7）的表面持平；在所述导电柱3上安装第一芯片2，并在所述第一芯片2上安装第二芯片4，所述第一芯片2、所述第二芯片4以及所述第三芯片7均包括：芯片裸晶201以及焊盘202，所述焊盘202设置在所述芯片裸晶201的一侧，用于实现芯片之间的互连，在所述第一芯片2、所述第二芯片4以及所述第三芯片（7）上还设置有绝缘保护层（203），所述绝缘保护层（203）设置在芯片裸晶201的一侧，绝缘保护层203用于将焊盘202进行包裹，从而将各焊点相互隔离；形成第二封装层（502），所述第二封装层502用于将所述第一芯片2、所述第二芯片4以及部分导电柱3进行塑封；通过化学腐蚀或UV光照的工艺对所述第二封装层（502）进行处理，使得所述第二封装层（502）能够实现平坦化并且降低所述第二封装层（502）的高度，使得所述第二封装层（502）的表面与所述第一芯片（2）的表面持平；剥离所述载片10；在重布线层1上形成导电构件9。

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