恭喜三星电子株式会社朴日穆获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利可变电阻存储器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110867463B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910799037.8，技术领域涉及：H10B63/00；该发明授权可变电阻存储器件是由朴日穆;朴圭述;宋苏智;李广宇设计研发完成，并于2019-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本可变电阻存储器件在说明书摘要公布了：一种可变电阻存储器件包括：沿第一方向延伸的字线；字线上沿与第一方向交叉的第二方向延伸的位线；位线和字线之间的开关图案；开关图案和字线之间的相变图案；以及相变图案和字线之间的底部电极，其中相变图案的底面积大于底部电极的顶面积，相变图案的厚度大于底部电极的厚度，并且其中底面积和顶面积沿第一方向和第二方向限定，以及厚度沿与第一方向和第二方向交叉的第三方向限定。
本发明授权可变电阻存储器件在权利要求书中公布了：1.一种可变电阻存储器件，包括：沿第一方向延伸的字线；所述字线上沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸的位线；所述位线和所述字线之间的开关图案；所述开关图案和所述字线之间的相变图案；以及所述相变图案和所述字线之间的底部电极，其中所述相变图案的底面积大于所述底部电极的顶面积，所述相变图案的厚度大于所述底部电极的厚度，其中所述底面积和所述顶面积沿所述第一方向和所述第二方向限定，并且所述厚度沿与所述第一方向和所述第二方向交叉的第三方向限定，其中，所述开关图案的底面积大于所述相变图案的所述底面积，并且具有10nm至15nm的厚度，并且其中，所述开关图案的阈值电压为3V至4V。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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